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完满版√MOS器件及其集成电路靠谱性及无效剖析总结计划 完满版√MOS器件及其集成电路靠谱性及无效剖析总结计划 PAGE/NUMPAGES 完满版√MOS器件及其集成电路靠谱性及无效剖析总结计划 MOS器件及其集成电路的靠谱性与无效剖析（大纲） 作者：XieM.X.(UESTC，成都市) 影响MOS器件及其集成电路靠谱性的要素好多，有设计方面的，如资料、器件和工艺等的采纳；有工艺方面的，如物理、化学等工艺的不坚固性；也有使用方面的，如电、热、 机械等的应力和水汽等的侵入等。 从器件和工艺方面来考虑，影响 MOS集成电路靠谱性的主要要素有三个：一是栅极氧 化层性能退化；二是热电子效应；三是电极布线的退化。 因为器件和电路存在有必然无效的可能性， 所认为了保证器件和电路能够正常工作必然 的年限（比方，关于集成电路一般要求在 10年以上），在出厂前就需要进行所谓 靠谱性评估， 即起初展望出器件或许 IC的寿命或许无效率。 （1）靠谱性评估： 关于各样元器件进行靠谱性评估， 实质上也就是依据检测到的元器件无效的数据来预计 出元器件的有效使用寿命——能够正常工作的均匀时间（ MTTF，meantimetofailure）的一 种办理过程。 因为关于元器件经过靠谱性试验而获取的无效数据，经常依据某种规律的散布，所以 依据这些数据，由必然的散布规律出发，即可预计出 MTTF和无效率。 比较符合实