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第1页/共34页第五节 晶体三极管§1-5-1 晶体三极管的结构及类型一、关于结构： 晶体三极管又称为双极型晶体管，简称晶体管，三极管等，一般由两个背靠背的PN结构成，根据这两个PN结的排列方式不同，三极管分为NPN型和PNP型两种。 我们用图形来说明这两种类型的三极管的结构：第2页/共34页第3页/共34页CC集电极集电极CBTPN集电区集电结E集电区集电结NPNBBN基区P基区发射结基极C基极发射结BPTN发射区发射区EE发射极PNP发射极EPNP型NPN型 晶体三极管又称双极型晶体管(BJT)，一般由两个背靠背的PN结构成，根据这两个PN结的排列方式不同，三极管分为NPN型和PNP型两种。第4页/共34页 不管是NPN型还是PNP型都分为： 三个区：发射区、基区、集电区 制做时在这三个区各引出一个电极，命名为：发射极E、基极B、集电极C。 这三个区构成两个PN结，其中： 发射区与基区形成发射结，用Je表示； 集电区与基区形成集电结，用Jc表示。 第5页/共34页 二、种类和符号： 晶体管的制做工艺很多也很复杂，常见的有：掺杂、光刻、扩散等，而且常见的晶体管种类都是平面型管。 晶体管的三个区由于掺杂工艺的不同，可形成两种类型的管子。 第一种为NPN型：即由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体的管子称为NPN管。 第二种为PNP型：即由两块P型半导体中间夹着一块N型半导体的管子称为PNP管。 第6页/共34页这两种管子在电路的符号为：（要求牢记）第7页/共34页三、晶体三极管的三种连接方式： 晶体三极管为三端器件，接入电路中要成为双口网络，因此，就必有一个电极作为输入口和输出口的公共端，因此，三极管接入电路中就有以下三种连接方式： 共发射极接法： Ib为输入电流，Ic为输出电流， 而且： Ic = F( IB )共基 极接法 : Ic = F( IE )共集电极接法 : IE = F( IB )第8页/共34页IEIEICICIBIBNPN型管的三种接法： 共发射极接法 共基极接法 共集电极接法第9页/共34页 四、晶体三极管的主要特性： 与二极管不同， 晶体三极管的主要特性与它的三种工作模式或工作状态有关： ⒈ 放大模式： 此时,晶体管的 JE 正偏，JC 反偏 。这一模式主要表现为正向受控作用，即：晶体三极管的集电极电流和发射极电流只受正偏发射结电压的控制，而几乎不受集电结反偏电压的控制。第10页/共34页 这种作用首先表现为电流放大。其次表现为电压放大，（电压放大是由电流放大转换而来的）。⒉饱和模式： 此时管子工作在 JE 和 JC 均正向偏置状态。⒊截止模式： 此时管子工作在 JE 和 JC 均反向偏置状态。 后两种状态呈现受控开关特性，是实现开关电路的基础。第11页/共34页§1-5-2放大模式下三极管的工作原理 在放大模式下，三极管的主要作用是放大作用，这种放大作用不是一般的放大，它具有以下两方面的含义： ① 是放大的对象是变化量 ② 是指对能量的控制作用的放大，即能量的放大。第12页/共34页 为定性说明这一正向控制作用的实现，现以NPN管的简单共射放大电路为例，着重阐述工作在放大模式下的晶体管内部载流子的传输过程。第13页/共34页工作在放大模式下的晶体管内部载流子的传输过程。第14页/共34页第15页/共34页一、三极管内部载流子的传输情况 ① 在发射区：向基区发射电子的情况： 发射结Je正向偏置，扩散运动为主流，阻挡层变窄，则发射区的多子（电子）源源不断地越过发射结到达基区，同时，基区的空穴（多子）也会扩散到发射区，成为发射区的非平衡少子，这两种多子产生的扩散电流分别记为： IEN和 IEP 第16页/共34页C基区空穴向发射区的扩散可忽略。NBPIBENEIE 三极管的连接方式发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。1、共发射极接法 2、共集电极接法3、共基极接法1.3.3 电流放大原理EC进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。RBEB第17页/共34页IC=ICE+ICBO?ICECICEICBONBPIBENEIE载流子传输过程 发射、复合、收集从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ECRBEB第18页/共34页IC=ICE+ICBO ?ICECICEICBONBECPIBEIBNRBEIEEB各极电流关系IB=IBE-ICBO?IBE第19页/共34页 此时，IEN 和 IEP方向相同， 但由于基区低掺杂且薄，所以有： IEP IEN Je正偏： VB VE， Je中的扩散运动 漂移运动 在忽略IEP的情况下，Je中