半导体二极管全套课件.pptx

1.1　二极管的结构、特性及其基本应用 1.2　特殊二极管及其基本应用 1.3　二极管的综合应用 了解杂质半导体与PN结的基本知识。 了解二极管的结构，熟悉其电路符号、单向导电性，理解二极管的伏安特性及主要参数，掌握其应用。 熟悉稳压二极管的电路符号、工作特点及应用。 了解发光二极管、光电二极管和变容二极管的电路符号、工作特点及其应用。 学会二极管识别与检测的基本方法，了解二极管的使用知识。 半导体二极管简称二极管 常温下导电能力很差 掺杂可控制其导电能力 对温度、光照敏感 普通二极管：整流、检波、开关二极管等 特殊二极管：稳压、发光、光电、变容二极管等 二极管的伏安特性、单向导电性、基本应用； 特殊二极管的特点、基本应用。 半导体——导电能力介于导体与绝缘体之间的物质，常用于制造半导体器件的材料为硅（Si）、锗（Ge)等。 1.1　二极管的结构、特性及其基本应用 1.1.1　二极管的结构与类型 1.1.2　二极管的特性及主要参数 1.1.3　二极管的基本应用 一、结构与符号 正极 负极 二、二极管的类型 构成 PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管 分类 按材料分 硅二极管、锗二极管 按结构分 点接触型、面接触型、平面型 按功能分 普通二极管、特殊二极管 空间电荷区 内电场 本征半导体 — 纯净的单晶半导体。如硅、锗单晶体。 载 流 子 — 自由运动的带电粒子。 共 价 键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。 硅(锗)的原子结构 简化 模型 硅(锗)的共价键结构 自 由 电 子 (束缚电子) 空穴可在共 价键内移动 知识 拓展 1、本征半导体 两种载流子 电子(自由电子)带负电 空穴带正电 两种载流子的运动 自由电子(在共价键以外)的运动 空穴(在共价键以内)的运动 结论： （1）本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； （2） 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； （3） 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 N 型半导体和 P 型半导体 N 型 磷原子 自由电子 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 载流子数  电子数 P 型 硼原子 空穴 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数  空穴数 施主 离子 施主 原子 受主 离子 受主 原子 2、 杂质半导体 杂质半导体的导电作用 I IP IN I = IP + IN N 型半导体 I  IN P 型半导体 I  IP P 型、N 型半导体的简化图示 PN 结(PN Junction)的形成 （1） 载流子的浓度差引起多子的扩散 （2） 复合使交界面形成空间电荷区 (耗尽层) 空间电荷区特点: 无载流子， 阻止扩散进行， 利于少子的漂移。 （3）扩散和漂移达到动态平衡 扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。 内建电场 3、 PN 结 PN 结的单向导电性 （1）外加正向电压(正向偏置) 内电场 外电场 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 扩散运动加强形成正向电流 IF 。 IF = I多子  I少子  I多子 （2） 外加反向电压(反向偏置) 外电场使少子背离 PN 结移动， 空间电荷区变宽。 PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 漂移运动加强形成反向电流 IR IR = I少子  0 一、二极管的单向导电性 允许一个方向电流流通的特性称为单向导电性 （1）外加正向电压(正向偏置) （2） 外加反向电压(反向偏置) 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 正向导通，呈小电阻，电流较大。 二、二极管的伏安特性曲线 正向特性 Uth 死区 电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) uD  Uth iD 急剧上升 0  uD  Uth UD(on) = (0.6  0.8) V 硅管 0.7 V (0.1  0.3) V 锗管 0.2 V 反向特性 IS -U (BR) 反向击穿 U(BR)  uD  0 iD = IS 0.1 A(硅) 几十 A (锗) uD U(BR) 反向电流急剧增大 (反向击穿) 1、正向特性 2、反向特性 3、反向击穿特性 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V，负温度系数) 雪崩击穿： 反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁