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电力电子技术1-3章知识主线电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术 电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础。 变流技术那么是电力电子技术的核心电力变换分为整流、逆变、直流变直流、交流变交流四种电路 开关器件的三种类型不可控型、半控型、全控型。其中、第一种的代表型器件是 电力二极管（Power Diode）、第二种的代表型器件是晶闸管（Thyristor）、第三种 的代表型器件是IGBT和Power MOSFET。 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要有通态损耗、断态损耗、开关损耗，通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。 二极管的基本原理——PN结的单向导电性在如下器件：电力二极管（Power Diode）＞晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶 体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控 器件的是 电力二极管,属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是GTO,GTR,电力, MOSFETJGBT ；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ,属于双极型器件的有电力二极 管、晶闸管、GTO GTR,属于复合型电力电子器件得有IGBT ：在可控的器件中，容量最大 的是晶闸管,工作频率最高的是电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT , 属于电流驱动的是 晶闸管、GTO、GTR o 人们利用PN结的反向特性研制成了稳压二极管。 10、1956年美国贝尔实验室（Bell Laboratories）创造了晶闸管，1957年美国通用电气公司（General Electric）开发出了世界上第一只晶闸管产品,并于1958年使其 商业化。其承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中最高，而且工作可 靠，因此在大容量的应用场合仍然具有比拟 10、 11、晶闸管有阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端。内部是PNPN四层 半 导体结构。 电力电子技术5-7章知识主线 60、直接直流变流电路也称斩波电路(DC Chopper)o功能是将直流电变为另一固定电 压或可调电压的直流电。这种情况下输入与输出之间不隔离。间接直流变流电路在直 流变流电路中增加了交流环节。在交流环节中通常采用变压器实现输入输出间的隔离, 因此也称为直一交一直电路。 61.降压斩波电路使用一个全控型器件V,假设采用晶闸管,需设置使晶闸管关断的辅 助电路设置了续流二极管VD,在V关断时给负载中电感电流提供通道。主要用于电子 电路的供电电源，也可拖动直流电动机或带蓄电池负载等。通常串接较大电感L使负 载电流连续且脉动小。电流连续时负载电压的平均值为U()=-^E = ^E = aE7 + / 丁 斩波电路有三种控制方式二脉冲宽度调制(PWM)： 7■不变，改变切。 干频率调制：ton不变，改变兀寸混合型：如和7都可调，改变占空比 62.在图5-la所示的降压斩波电路中，E=200V,R=10Q,L值极大,￡加=30〃 7=50〃5,L VD L VD L VD5=20分,计算输出电压平均值U。，输出电流平均值/Oo解：由于L值极大，故负载电流连续，于是输出电压平均值为 L VD U /弘￡= 20x200 . ° T 504 4，。 ,E+《VC=p ?o R ’G■ 4，。,E+《 4，。 ,E+《VC=p ?o R ’G■ 0 =显 石=工￡将升压比的倒数记作6,即7 ,% 扬 那么脚导通占空比a有如下关系 二+分=1那么4=!七=，石输出电压高于电源电压，关键有两个 p \-a 原因：一是L储能之后具有使电压泵升的作用，二是电容C可将输出电压保持住。64、在图5-2a所示的升压斩波电路中，E=50V, L值和C值极大，R=20。,采用脉宽调制控制方式，当丁=40々，如=25小时，计算输出电压平均值U 原因：一是L储能之后具有使电压泵升的作用，二是电容C可将输出电压保持住。 64、在图5-2a所示的升压斩波电路中，E=50V, L值和C值极大，R=20。,采用脉 宽调制控制方式，当丁=40々，如=25小时，计算输出电压平均值U。，输出电流平均值 /q ° 解：输出电压平均值为：uo =Le= 40 X5O = 133.3(V) Gf 40-25 输出电流平均值为： /。=与== 6.667(A) 65、升降压斩波电路输出电压为: U 二￡ =，」￡ = ±￡、改变导通比a,输出电压 “ T-t(m \-a - 既可以比电源电压高，也可以比电源电压低。 当0aZ/2时为降压,当 〃2a2时为升压, 因此将该电路称作升降压斩波电路。 与升降压斩波 电路相比，Cuk斩波电路有一个明显的优点, 其输入电源电流和