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1 引言
自20世纪90年代以来,IGBT逐渐成为轨道智能功率电子开关模块首选,取得重要应用地位。IGBT模块能够获得广泛应用主要源于其同时兼顾了场效应晶体管MOSFET和电力晶体管GTR两者的优点,具有低开关损耗、高开关频率、小型化、效率高等卓越性能。然而,应用于轨道交通领域的IGBT器件自投入运行起,就要承受着各种复杂的环境温度变化、猛烈的机械冲击及不可避免的老化损耗。因此,为了守护人民群众的生命财产安全,为了节约企业经营成本,提高产品利用率,为了交通运输事业能够平稳平安发展,对IGBT器件进行寿命优化控制研究是十分必要的。
据统计,IGBT器件发生故障大多数情况下是热-电-机械应力方面出
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