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第1章 半导体器件 本章主要内容 (1)半导体基础知识 (2）半导体二极管 （3）双极型晶体管 （4）场效应晶体管 1.1 半导体基础知识 1.1.1 半导体的导电特性 自然界中的物质，按其导电能力的强弱可分为导体、半导体和绝缘体三种类型。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。 导体一般为低价元素，例如银、铜等金属材料都是良好的导体，它们的原子结构中的最外层电子极易挣脱原子核的束缚而成为自由电子，在外电场的作用下产生定向移动，形成电流。 高价元素（如隋性气体）或高分子物质（如橡胶），它们的原子结构中的最外层电子极难挣脱原子核的束缚成为自由电子，其导电性极差，称为绝缘体。 常用的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge）等，硅原子中共有14个电子围绕原子核旋转，最外层轨道上有4个电子，如图1.1（a）所示。 原子最外层轨道上的电子通常称为价电子，因此硅为4价元素。锗原子中共有32个电子围绕原子核旋转，最外层轨道上的电子数也为4个，如图1.1（b）所示，所以锗也为4价元素。 为了简便起见，常用带+4电荷的正离子和周围的4个价电子来表示一个4价元素的原子，如图1.1（c）所示。 图 1.1 硅和锗的原子结构示意图 硅和锗的最外层电子既不像导体那样容易挣脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样被原子核所紧紧束缚，所以其导电性介于导体和绝缘体之间，呈现出典型的半导体导电特性。 1.本征半导体 将硅和锗这样的半导体材料经一定的工艺高纯度提炼后，其原子排列将变成非常整齐的状态，称为单晶体，也称本征半导体。 在本征半导体中，每个原子与相邻的4个原子结合，每一原子的4个价电子分别为相邻的4个原子所共有，组成所谓共价键结构，如图1.2所示。 图1.2 共价键结构示意图 共价键中的电子不像绝缘体中的价电子被束缚得那样紧。一些价电子获得一定能量（如温度升高或被光照）后，可以克服共价键的束缚而成为自由电子，这种现象称为电子“激发”。 此时，本征半导体具有了一定的导电能力，但由于自由电子的数量很少，所以它的导电能力比较微弱。同时，在原来的共价键中留下一个空位，这种空位称为空穴。 空穴因失掉一个电子而带正电。由于正负电的相互吸 引作用，空穴附近共价键中的价电子会来填补这个空位， 于是又会产生新的空穴，又会有相邻的价电子来填补， 如此进行下去就形成了空穴移动，如图1.3所示 图1.3 空穴和自由电子 半导体中存在着两种运载电荷的粒子，称为载流子，即带负电的自由电子和带正电的空穴。在本征半导体中，自由电子和空穴总是成对产生，成为电子-空穴对，所以两种载流子浓度是相等的。 在室温条件下，本征半导体中载流子的数目很少，所以导电性能较差。温度升高时，载流子浓度将按指数规律增加。 2. 杂质半导体 若在本征半导体中掺入少量的杂质元素，就能显著地改善半导体的导电性能。根据所掺杂质的不同，掺杂后的半导体可分为N（Negative）型半导体和P（Positive）型半导体两种。 （1） N型半导体 如果在纯净的硅（或锗）晶体中掺入少量的5价杂质元素（如磷P、砷As、锑Sb等），则原来晶格中的某些硅原子的位置将被杂质原子所代替，就形成了N型半导体。 由于这种杂质原子最外层有5个价电子，其中4个与周围硅原子形成共价键，因此还多出一个电子。这个多出的电子由于不受共价键的束缚便成为可以导电的自由电子，而杂质原子成为不可移动的正离子，如图1.4所示。 图1.4 N型半导体结构 在N型半导体中，自由电子的浓度将远远高于空穴的浓度，因此自由电子称为多数载流子（简称多子），而其中的空穴称为少数载流子（简称少子）。 由于杂质原子可以提供电子，故称为施主原子。N型半导体主要靠施主原子提供的电子导电，掺入的杂质原子越多，自由电子的浓度也就越高，导电性能就越强。 （2） P型半导体 如果在纯净的硅（或锗）晶体中掺入少量的3价杂质元素（如硼B、铝Al、镓Ga等），则原来晶格中的某些硅原子的位置将被杂质原子所代替，就形成了P型半导体。由于这种杂质原子最外层有3个价电子，在与周围4个硅原子形成共价键时，就产生了一个空穴，如图1.5所示。 当相邻硅原子的外层电子由于热运动填补此空穴时，