芯片失效分析及材料分析.docxVIP

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2022-09-27 发布于天津
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芯片失效分析及材料分析.docx

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芯片失效分析及材料分析芯片IC失效分析 ( FA)：光学检查(VI/OM) ；扫描电镜检查(FIB/SEM) 微光分析定位(EMMI/InGaAs)； OBIRCH ；Micro-probe; 聚焦离子束微观分析(FIB)；弹坑试验(cratering) ；芯片开封(decap) ；芯片去层(delayer)；晶格缺陷试验(化学法)； PN结染色 / 码染色试验；推拉力测试(WBP/WBS)；红墨水试验： PCBA切片分析(X-section)；芯片材料分析：高辨别TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)； SEM (形貌观看、截面观看、膜厚测量、EBSD)； Raman (Raman光谱)； AFM (微观表面形貌分析、台阶测量)；测试地点：广电计量广州总部试验室、广电计量上海试验室。