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第一专题　半导体器件的基础知识 第一专题　半导体器件的基础知识 7.1 半导体二极管 半导体基础知识 导 体：自然界中很容易导电的物质，例如金属。 绝缘体：电阻率很高的物质，几乎不导电，如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。 半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质， 例如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等 半导体的特点 1. 本征半导体 本征半导体的导电机理 纯净的半导体。如：硅和锗 最外层四个价电子 共价键结构 共价键共用电子对 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 在热或光激发下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 空穴 束缚电子 自由电子 在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是带正电的载流子。 自由电子或空穴的运动形成电流 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 温度越高载流子的浓度越高本征半导体的导电能力越强。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 归纳    2. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质，使杂质半导体某种载流子浓度大大增加。 1）N型半导体 多余电子 磷原子 在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的五价元素磷，使自由电子浓度大大增加。 多数载流子（多子）：电子。取决于掺杂浓度； 少数载流子（少子）：空穴。取决于温度。 2）P型半导体 在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的三价元素硼，使空穴浓度大大增加。 多数载流子（多子）：空穴。取决于掺杂浓度； 少数载流子（少子）：电子。取决于温度。 空穴 硼原子 归纳 3、杂质半导体中起导电作用的主要是多子。 4、N型半导体中电子是多子，空穴是少子； P型半导体中空穴是多子，电子是少子。 1、杂质半导体中两种载流子浓度不同，分为多数载流子和少数载流子（简称多子、少子）。 2、杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂浓度，少数载流子的数量取决于温度。 ◆ ◆ ◆ ◆ 杂质半导体的导电机理 杂质半导体的示意表示法 空间电荷区 N区 P区 一、PN结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。 7.1.1 PN结及其单向导电性 浓度差 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 形成内电场 内电场阻止多子扩散，促使少子漂移 多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡 PN结正向偏置 P N + _ 二、PN结的单向导电性 导通 PN结反向偏置 N P + _ 截止 7.1.2 半导体二极管的基本结构 一、基本结构 PN结+管壳和引线 阳极 阴极 符号： D 1.1.1　什么是半导体 　　2 ．载流子：半导体中，携带电荷参与导电的粒子。 自由电子：带负电荷 空穴：带与自由电子等量的正电荷 均可运载电荷——载流子 　　特性：在外电场作用下，载流子都可以做定向移动，形成电流。 　　1．半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间,且随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化，人们把这一类物质称为半导体。 1.1　半导体二极管 　　3．N 型半导体：主要靠电子导电的半导体。 　　即：电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 　　4．P 型半导体：主要靠空穴导电的半导体。 1.1.2　PN 结 　　即：电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 　　PN 结：经过特殊的工艺加工，将 P 型半导体和 N 型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界面就会出现一个特殊的接触面，称为 PN 结。 　　PN 结具有单向导电特性。 1.1　半导体二极管 　　（1）正向导通：电源正极接 P 型半导体，负极接 N 型半导体，电流大。 　　（2）反向截止：电源正极接 N 型半导体，负极接 P 型半导体，电流小。 　　结论：PN 结加正向电压时导通，加反向电压时截止，这种特性称为 PN 结的单向导电性。 1.1　半导体二极管 　　如果反向电流未超过允许值，反向电压撤除后，PN 结仍能恢复单向导电性。 　　反向击穿：PN 结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为 PN 结的反向击穿。 　　热击穿：若