特殊二极管模拟电子技术.pptVIP

1.4　特殊二极管 1.5.1　稳压管 1.5.2　变容二极管 1.5.3　光电器件 第一页，共十五页。 1.4.1 稳压管 一、硅稳压管及其伏安特性 符号 工作条件：反向击穿 a k 特性 I U O UZ IZmin IZM ?UZ ?IZ IZ + – – + 特点： * 正向特性与普通二极相同 * 反向击穿特性较陡 * 反向击穿电压 几 ~ 几十V， 在允许范围内为电击穿 第二页，共十五页。 二、主要参数 1. 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。 2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好， 小于 Imin 时不稳压。 3. 最大工作电流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM 4. 动态电阻 rZ rZ = ?UZ / ?IZ 越小稳压效果越好。 几 ? ? 几十 ? I U O UZ IZmin IZM ?UZ ?IZ IZ 第三页，共十五页。 5. 稳定电压温度系数 CT 一般， UZ 4 V，CTV 0 (为齐纳击穿)具有负温度系数； UZ 7 V，CTV 0 (为雪崩击穿)具有正温度系数； 4 V UZ 7 V，CTV 很小。 表1.4.1 几种硅半导体稳压二极管的主要参数 参