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3D 封装的故障隔离与故障分析
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摘要:
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3D 封装是一种小尺寸、轻重量、低功耗、低成本的先进封装工艺,结合其在实际应用中通常出现的可靠性问题,从非破坏性与破坏性两方面对可用于 3D 封装故障隔离与故障分析的方法展开介绍。通过精确定位来暴露失效位置,使用开放性高阻故障隔离、短路故障隔离、无损及高分辨率成像技术等方法,来实现非破坏性故障隔离与分析;通过破坏性的制样和物理分析等方法来探寻失效原因。所提出的方法可为 POP、芯片堆叠式等结构的 3D 封装工艺的改进和优化提供参考。
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1 引 言
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随着微电子封装朝着更小、更轻、更薄的方向发展,用户对超大规模集成电路的低功率、轻型及小型封装的生产技术提出了越来越高的要求,为此,3D 封装技术应运而生。3D 封装就是把 IC 芯片一片片叠合起来,在 Z 方向垂直互连,将平面组装向垂直方向发展为立体组装。这种三维技术允许基本电路元器件(比如电阻、电感、电容、二极管和三极管)在垂直方向堆叠,而不仅仅是平面上的互连,从而可以使单位面积上具有更高的集成度。然而随着封装密度的提高,器件的失效模式和失效机理愈加复杂。3D 封装工艺中的故障隔离和故障分析方法,对于 3D 封装工艺的改进和优化就显得尤为重要。
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2 3D 封装技术
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典型的系统级封装(SIP, System In a Package)示意图如图 1 所示。一个 POP (POP, Package on Package)构造的 3D 封装是将以球面网格阵列(BGA,Ball Grid Array) 形式封装的现场可编程门阵列(FPGA, Field ProgrammableGate Array)与中央处理单元(CPU, Central Processing Unit)芯片一起安装在公共封装基板上。FPGA 的封装和基板之间的焊点称为中级互连(MLI, Mid-Level Interconnect),CPU到基板和 FPGA 芯片到 FPGA 基板之间的焊点称为一级互连。由于多层焊料互连、硅芯片和封装集成在一个 SIP 封装中,会造成许多故障,例如焊点脱焊或在第一级互连或中级互连中出现裂纹,甚至 FPGA基板或 SIP 基板上都会出现基板裂纹。由于较高的集成度,在这种复杂的封装架构中,对故障位置加以隔离,以及获取失效特性、进行物理失效分析,便成为必不可少的重大挑战。
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3 非破坏性故障隔离和故障分析
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3.1 开放性和高阻故障隔离
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非破坏性故障隔离技术是一种能在短时间内找到 3D 封装中的多种失效情况的技术。对于开放性和高阻故障,时域反射(TDR, Time Domain Reflec tometry)以及光电太赫兹脉冲反射(EOTPR, Electro Optical Terahertz Pulse Reflectometry)都是非常有效和流行的隔离技术。
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TDR 是一种传统的低成本非破坏性故障隔离技术,它的原理是在封装互连中注入 35耀40p泽的上升时间的步进电脉冲,并通过收集从封装中反射的信号来分析沿电路的阻抗变化。将失效单元的反射波与良好参考单元和裸基板的反射波进行比较,可以将故障的位置隔离在芯片或封装基板中。TDR 的分辨率取决于上升时间、TDR 系统带宽和封装内的材料属性。时域上 TDR 的分辨率约为 TDR 上升时间的 1/10耀1/5。
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EOTPR 是 TDR 的下一代技术,在分辨率上有进一步提升。不同的是,EOTPR 采用超快激光脉冲产生一个带尖锐峰值的 40GHz 到 4THz 的电脉冲,注入到待检测的封装中。由于 EOTPR 采用脉冲峰值作为输入信号,封装中的开放式互连在 EOTPR光谱上显示为波峰,缩短式互连在 EOTPR 光谱上显示为波谷。EOTPR 光谱示意图如图 2 所示。
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3.2 短路故障隔离
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精确定位 3D 短路失效的关键是获取缺陷在X、Y、Z 方向的位置信息。锁相热成像(蕴陨栽)是一种非常有前景的技术,它利用实时图形锁定法来定位短路故障引起的热点。锁相执成像法的检测曲线如图 3 所示。该方法能够辨别出 3D 封装中的热点,是一种检测封装中短路故障的非常有前景的非破坏性故障隔离技术。
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超导量子扫描干涉显微镜(杂杂酝)被广泛应用于传统封装的短路故障无损检测中,它通过检测失效单元中由输入电流产生的磁场,并利用傅立叶变换反演技术处理磁场,可得到样品的电流密度分布图,图源 给出了 SSM 应用的一个实例。它能够通过算法分析磁场来获取失效的在方向位置。实际应用中的结果表明,该方法在堆叠式芯片结构的 3D 封装中绘制三维电流路径有很好的表现,应用前景广阔。
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3.3 无损和高分辨率成像技术
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一旦故障被准确隔离,就需要使用无损和高分辨率成像技术来揭示造成失效的缺陷。二
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