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PL：PR lifting 外观： Pattern（線路及其他結構）呈歪曲或移位現象 成因：由光阻移位所造成的問題其外觀與薄膜本身移位不同。光阻移位後，是光阻Pattern重疊，所 以在蝕刻後薄膜的 Pattern交接處，仍在同一平面. OM figure: P1PL 第30页，共47页，编辑于2022年，星期二 PR：PR remaining 外观：薄膜上有深咖啡色、褐色或黑色的脏污残留；许多微小颗粒呈脉状网络分布。 成因：PR 去除不良 OM figure: PAPR M2PR 第31页，共47页，编辑于2022年，星期二 PW：Powder 外观: OM 下 颗粒状密集 PA， SIZE较小 成因：CVD机台副产物 OM figure: COPW 第32页，共47页，编辑于2022年，星期二 RE：Residue (ETCH) 外观: 非正常图形的FILM图形。 成因：a, 蚀刻时终结点（etching point）侦测错误或提早捉到； b, 蚀刻前有异物或particle覆盖在光阻或薄膜上形成etching mask，阻挡蚀刻的进行。 c, FILM 厚度异常导致ETCH 未净 OM figure: M2RE 第33页，共47页，编辑于2022年，星期二 光刻缺陷检查培训 第1页，共47页，编辑于2022年，星期二 XY05 Cross section (bipolar): 第2页，共47页，编辑于2022年，星期二 Layer Code In-line hold 货如是defect原因，请按照右表格式key in comment. 第3页，共47页，编辑于2022年，星期二 AC：Arcing 外观：金属表面呈烧焦及熔岩状，而且沿着金属线路熔毁。或圆形爆炸状 成因：在电浆（Plasma）环境中，高浓度的带正电离子经由电弧（ARC）对晶片表面容易蓄积电荷或导电部位放电时所产生的高热熔毁金属线路。 OM figure: M1AC 第4页，共47页，编辑于2022年，星期二 BC / BV：Blind Contact / Blind VIA 外观： Contact（连接M1/Poly) / VIA (连接M1/M2)的大小变小或完全消失不见。 成因： a, Photo焦距偏差（defocus），以至于contact /VIA部位曝光不足，而无法曝开； b, Photo 光阻涂布不良，使底层被蚀刻掉。 OM figure: COBC V1BV 第5页，共47页，编辑于2022年，星期二 BR ：bridge 外观： 图形桥接 成因： PHOTO defocus OM figure: 第6页，共47页，编辑于2022年，星期二 C1：Tape residue 外观：胶带残留，只发生在最上层，可以擦掉。（背面磨薄制程中，胶带粘表面） 成因：透明胶状物 OM figure: Remark:目前SinoMOS尚未涉及到晶背研磨，故不会出现C1的defect. 第7页，共47页，编辑于2022年，星期二 C2 ：Foreign contamination 外观：不规则状，非透明物，一般呈现条状。 成因：晶片后续操作中引入，多数在可以清洗掉 OM figure: PAC2 第8页，共47页，编辑于2022年，星期二 CR ：corrosion 外观： Metal Line侧边有泡状/多颗泡状衍生物，造成金属凹陷。 成因： a,金属蚀刻后的氯（Cl）残留，遇水气后形成盐酸（HCL）而继续腐蚀金属，包 括制程异常造成大量氯残留，PR/Polymer残留氯，放置时间太久； b,其它酸腐蚀（如BPSG中的P遇水气形成磷酸）。 OM figure: M1CR M2CR 第9页，共47页，编辑于2022年，星期二 CK：Crack 外观：非正常图形定义线条，如护层龟裂，破裂處金屬光澤較強烈（即較亮） 成因：a. VIA龜裂可能SOG不均 或护层结构异常 b.護層龜裂 护层应力不协调 或外物DAMAGE。 OM figure: V1CK 第10页，共47页，编辑于2022年，星期二 C3：Si fragment 外观：有棱角，片岩状碎屑。 成因：晶片破片，叠片以及刮伤等。 OM figure: PAC3 第11页，共47页，编辑于2022年，星期二 CO：contamination 外观：不规则状物 成因：晶片制程中引入（机台异常或人为操作不当），多数清洗不掉 OM figure: PA