晶体硅太阳能电池的制造工艺流程.docxVIP

提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下： 切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。 清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。 制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。 磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成 PN＋结， 结深一般为 0。3－0。5um。 (5） 周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。 去除背面 PN＋结.常用湿法腐蚀或磨片法除去背面 PN＋结