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2 第一性原理计算ZnO复合石墨烯的光电性质 摘 要 ZnO是一种宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV。相比于其它的氧化物型半导 体，其物理特性和化学特性都很优良。由于其优良的光电性质，当今在很多的领域上都应用到了ZnO，对其潜在的性 质研究也成为了此时热门的研究方向。但是由于本征ZnO材料中的载流子浓度不高，导致本征ZnO的导电性不太良 好。为了提升ZnO的光电性质，可以通过掺杂一些物质来调控ZnO的载流子浓度。 本文的研究就是基于解决ZnO自身存在的问题，应用Materials Studio软件里面的CASTEP模块，对ZnO和ZnO复合 石墨烯进