CMOS集成电路工艺与图实用课件 .pptxVIP

第1页/共61页扩散区光刻胶氧化硅硅片.第2页/共61页定义版图什么是版图？集成电路制造工艺中，通过光刻和刻蚀将掩膜版上的图形转移到硅片上。这种制造集成电路时使用的掩膜版上的几何图形定义为集成电路的版图。版图要求与对应电路严格匹配，具有完全相同的器件、端口、连线.第3页/共61页一、单个MOS管的版图实现栅极负责施加控制电压源极、漏极负责电流的流进流出导电沟道.第4页/共61页1、图形关系栅 有源区注入杂质形成晶体管， 栅与有源区重叠的区域确定器件尺寸，称为导电沟道有源区导电沟道.第5页/共61页 只要源极、漏极以及导电沟道所覆盖的区域称为有源区。 芯片中有源区以外的区域定义为场区。.第6页/共61页2、器件尺寸设计 MOS管中电流由源极流向漏极。沟道中电流流过的距离为沟道长度；截面尺寸为沟道宽度。沟道宽度W沟道长度L电流方向.第7页/共61页设计中，常以宽度和长度值的比例式即宽长比（W/L）表示器件尺寸。例：假设一MOS管，尺寸参数为20/5。则在版图上应如何标注其尺寸。20/5.第8页/共61页3、图形绘制.第9页/共61页英特尔65纳米双核处理器的扫描电镜(SEM)截面图 .第10页/共61页常用图层版图图层名称含义NwellN阱Active有源扩散区PselectP型注入掩膜NselectN型注入掩膜Poly多晶硅cc引线孔Metal1第一层金属Metal2第二层金属Via