mos场效应晶体管.pptxVIP

会计学;讨论主题：;1. MOSFET的结构类型;;分类:;;2. MOSFET工作原理;;;;;;;;; MOSFET的特征;3．高输入阻抗 由于栅氧化层的影响，在栅和其他端点之间不存在直流通道，因此输入阻抗非常高，而且主要是电容性的。通常，MOSFET的直流输入阻抗可以大于1014欧。 4．电压控制 MOSFET是一种电压控制器件。而且是一种输入功率非常低的器件。一个MOS晶体管可以驱动许多与它相似的MOS晶体管；也就是说，它有较高的扇出能力。 5．自隔离 由MOS晶体管构成的集成电路可以达到很高的集成密度，因为MOS晶体管之间能自动隔??。一个MOS晶体管的漏，由于背靠背二极管的作用，自然地与其他晶体管的漏或源隔离。这样就省掉了双极型工艺中的既深又宽的隔离扩散。; 对于MOSFET则可引进输出特性曲线和转移特性曲线来描述其电流－电压关系。 ;源极接地，并作为输入与输出的公共端，衬底材料也接地。 输入加在栅极G及源极S之间，输出端为漏极D与源极S。 ; 对于N沟道增强型管，VDS为正电压，VGS也是正电压。当VGS大于开启电压时，N沟道形成，电流通过N沟道流过漏和源之间。 定性地可以将它分为三个工作区来进行讨论。 ; 可调电阻区的范围为VDSVGS-VT，即保证漏端沟道存在的条件。图（a）表示N沟道增强管VT＝2V，VGS=6V，VDS=0时的沟道情况。此时沟道中各点电位相同，因此沟道厚度各处相同，IDS＝0。 图（b）表示当VT＝2V，VGS=6V，VDS=2V时的沟道情况。这时漏端沟道厚度比源端薄，由于相差不大，仍可近似看成均匀。;; 当VDS继续增加时，例如从2V变到4V时，漏端沟道越来越薄，电阻越来越大，IDS随VDS上升减慢，IDS~VDS的直线关系变弯曲。当VDS＝4V时，漏端处VGS-VDS=VT。这时漏端的沟道进入夹断的临界状态，处于可调电阻工作区与下面要讨论的饱和工作区的边界。IDS将成为漏－源饱和电流IDSS。 下图给出了不同VGS时的IDS~VDS关系，即输出特性曲线，其中区域Ⅰ为可调电阻工作区。;;饱和工作区 ;;沟道长度调变效应 ;雪崩击穿区 ;第28页/共56页; 可以用相似的方法讨论N沟道耗尽型， P沟道增强型，P沟道耗尽型MOSFET的输出特性曲线，它们分别如图8-12（b）~（d）所示。;第30页/共56页;MOSFET的转移特性曲线 ;第32页/共56页;第33页/共56页;MOS的直流特性公式与分析;线性工作区的伏安特性 ;饱和工作区的伏安特性 ;;跨导gm ;跨导标志了MOSFET的电压放大本领， 因为电压增益可表示为：;MOS的跨导：;饱和工作区 ;;;MOS频率、开关特性;MOSFET最高振荡频率（功率增益为1）;;小尺寸MOS器件;4. MOSFET的应用;;;;;0 1 0 1;;