半导体三极管和基本共射极放大电路的静态分析.pptxVIP

半导体三极管和基本共射极放大电路的静态分析会计学C集电极CPNBNPB基极PNEE发射极第1页/共22页一、半导体三极管（一）基本结构和类型1、结构集电极NPN型PNP型基极发射极C集电极NPBN基极E发射极第2页/共22页集电区：面积较大基区：较薄，掺杂浓度低发射区：掺杂浓度较高C集电极NPBN基极E发射极第3页/共22页集电结发射结2、类型有PNP型和NPN型；硅管和锗管；大功率管和小功率管；高频管和低频管。CNBPIBENEIE第4页/共22页发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。（二）电流放大原理基区空穴向发射区的扩散可忽略。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。ECRBEBIC=ICE+ICBO?ICECICEICBONBPIBENEIE第5页/共22页1、载流子传输过程 发射、复合、收集从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ECRBEBIC=ICE+ICBO ?ICECICEICBONBECPIBEIBNRBEIEEB第6页/共22页2、各极电流关系IB=IBE-ICBO?IBE第7页/共22页3、电流放大系数ICE与IBE之比称为电流放大倍数要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。CCICICBBIBIBIEIEEE第8