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- 2022-11-02 发布于四川
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半导体具有许多独特的物理性质,这与半导体中电子的状态及其运动特点有密切关系。
为了研究和利用半导体的这些物理性质,需要掌握半导体中的电子状态和运动规律。
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由于热激发, 半导体的载流子显著增加,杂质半导体尤为显著,电导性随温度变化十分灵敏。
热敏电阻:半导体的电阻随温度的升高而指数下降
体积小、热惯性小、寿命长,广泛应用于自动控制。
介绍:半导体的一些特性和应用
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p-n结的单向导电性
p-n 结的单向导电性
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集成电路:
p-n结的适当组合可以制成具有放大作用的晶体三极管以及各种晶体管,制成集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路。
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p-n结本身就形成一个光学谐振腔, 两个端面相当于两个反射镜, 适当镀膜后可达到所要求的反射系数, 形成激光振荡, 并利于选频。
体积小,极易与光纤结合,成本低,制造方便,所需电压低(只需1.5V),功率可达102 mW
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重点:
1、晶体结构:
(1) 金刚石型: Ge、Si
(2) 闪锌矿型: GaAs
2、化合键:
(1) 共价键: Ge、Si
(2) 混合键: GaAs
§2-1·1 半导体的晶体结构和结合性质
Crystal Structure and Bonds in Semiconductors
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1、金刚石型结构和共价键
化学键: 构成晶体的结合力
由同种晶体组成的元素半导体,其原子间无负电性差,它们通过共用一对自旋相反而配对的价电子结合在一 起。
金刚石型结构的特点:每个原子周围都有四个最邻近的原子,组成一个正四面体结构。
每个原子和周围四个原子组成四个共价键
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金刚石型结构是立方对称的晶胞,可以看作是两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线互相位移了1/4的空间对角线长度套构而成。
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金刚石结构的结晶学原胞
原子在晶胞中的排列:8个原子位于立方体的8个角顶上,6个原子位于6个面中心上,晶胞内部有4个原子。
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金刚石型结构{100}面上的投影
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锗Ge: a=5.65754埃
硅Si: a=5.43089埃
晶格常数a为0.566nm
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2、闪锌矿结构和混合键
材料: Ⅲ(铝、镓、铟)-Ⅴ(磷、砷、锑)族和Ⅱ(锌、铬、汞)-Ⅵ族(硫、硒、碲)二元化合物都是半导体材料,它们绝大多数具有闪锌矿型结构。
例如: GaAs、GaP、SiC、SiGe、InP、InAs、InSb………
与金刚石型结构类似,区别在于闪锌矿型结构由两类不同的原子组成
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闪锌矿结构的结晶学原胞
由两类原子各自组成的面心立方晶格,沿空间对角线彼此位移四分之一对角线长度套构而成。每个原子被4个异族原子所包围,角顶上8个原子和面心上6个原子可以认为共有4个原子属于某个晶胞。
双原子复式格子.
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化学键: 共价键+离子键:
晶体中的原子也是依靠共价键结合,但有一定的离子键成分。
比如:重要的III-V族化合物半导体材料砷化镓,相邻砷化镓所共有的价电子实际上并不是对等地分配在砷和镓的附近。由于砷具有较强的电负性,成键的电子更集中地分布在砷原子附近,因而在共价化合物中,电负性强的原子平均来说带有负电,电负性弱的原子平均来说带有正电,正负电荷之间的库仑作用对结合能有一定的贡献。在共价结合占优势的情况下,这种化合物构成闪锌矿型结构。
这类半导体常称为极性半导体。
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3、纤锌矿型结构:
比如:ZnO、GaN、AlN、ZnS、ZnTe、CdS、CdTe……
与III-V族化合物类似,当共价性化合物晶体中的两种元素的电负性差别较大,离子性结合占优势时,就倾向于构成纤锌矿型结构。
纤锌矿型结构与闪锌矿型结构相接近,也是以正四面体结构为基础构成的,但具有六方对称性,而不是立方对称性。
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由两类原子各自组成的六方排列的双原子层堆积而成。
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重点:
电子的共有化运动
导带、价带与禁带
1 、原子的能级和晶体的能带
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1 、原子的能级和晶体的能带
(1)孤立原子的能级
原子中的电子分列在不同的能级上,形成所谓的电子壳层,不同支壳层的电子分别用1s;2s,2p;3s,3p,3d;4s……等表示,每一
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