- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
Wuxi CSMC-HJ Semiconductor Co., Ltd.
无锡华晶上华半导体有限公司
Prepared by PCM PAGE 7/ NUMPAGES 19
PCM测试原理及方法简介
PCM即 Process Control Monitor (工艺控制监控)的缩写。从名称上我们可以看出PCM测试的基本作用即通过电参数对工艺控制起到监控作用,同时它也是反映产品质量的一种手段。PCM 作为一个技术支持部门,主要把线上一些工艺异常进行及时的反映出来,在产品入库前对其进行最后一道质量的检验,其作用归纳起来,有如下几点:
对产品进行参数质量检验;
通过PCM测试,获取线上异常信息;
为线上的工艺实验提取参数信息;
进行客户反馈产品失效原因分析;
数据统计分析工作;
PCM测试在划片槽内有专门的测试图形,它们是与芯片内的图形同时完成的,因此它可以有效而准确的反映工艺情况。但是由于图形本身与电路中管芯并不完全相同,实际情况可能比PCM图形复杂。因此圆片在PCM测试完成以后还需要进行中测即成品率测试以反映芯片的功能。在这里我们只就PCM参数测试从以下四方面进行简要介绍。
PCM测试原理及测试系统
PCM常见参数测试方法
PCM常见参数描述
PCM测试原理及测试系统
简单的说PCM测试就是在被测器件上施加的一定大小和方向的电流或电压,然后监控被测器件的电压或电流情况来反映被测器件的电学特性来达到监控工艺情况和产品质量的目的。这一过程是通过一套完整的测试系统来完成的。
PCM测试系统包括控制终端,测试仪,测试头,开关矩阵,探针台和HP-IB CABLE构成。系统(以HP4062为例)连线如下图所示:
HP-IB Cable
HP-IB Cable
HP-IB Cable
SWC(Switching Matrix Controller)
SWC
(Switching Matrix Controller)
CMU Cable
CMUSMS
CMU
SMS
(Switching Matrix Subsystem)
DCS(DC Subsystem)
DCS
(DC Subsystem)
HP-IB Controlled Wafer Prober
HP-IB Controlled Wafer Prober
Wafer HP 9000
Wafer
HP 9000
Series 300 Computer
Host Computer
Host Computer
HP-IB Cable
测试过程:
计算机控制终端根据我们的要求发出指令(测试程序)控制测试仪和探针台进行动作(例如施加电压)。测试仪中的SMU单元(Source Monitor Unit,在DCS中)将电压通过AUX Cable 加至测试头上的开关矩阵(SWM),开关矩阵再通过探针的接触将电压加到了被测器件上,SMU单元再根据程序的要求量出所需要的结果(例如电流值),并将这一结果返回计算机内保存,也可以显示在计算机屏幕上。以此类推,如果我们要测量电容,则是控制测试仪中CMU(电容仪)进行测量。
PCM常见参数测试方法
目前PCM测试的主要参数项包括:
开启电压(NXSTRW/PXSTRW)
击穿电压(NXSTRW/PXSTRW)
导通电流(NXSTRW/PXSTRW)
单管漏电流(NXSTRW/PXSTRW)
方块电阻(NPLUS/PPLUS/TUBS/PGT/M1LSVDP/M2LSVDP)
接触电阻(NPLUS/PPLUS/PGT/GT)
条形电阻(RESNW/RESPW/RESGT)
电容及电容击穿(CAPNP/CAPPC/TDDB)
同时为了满足不同工艺实验要求,我们还会测试一些特殊的参数,例如:
COMB 漏电测试(ALLIN3BL/ALLIN3BR)
M1/M2 Ratio (ALLIN3BL/ALLIN3BR)
有效沟长 (NXSTRW2/PXSTRW2)
1.MOS Transistor
开启电压:简单的来说“开启”就是在栅上加电压使硅表面反型,然后在漏上加一定电压,使源漏之间有电流通过的过程。我们通常用的方法是最大跨导法。测试时在漏上固定一个电压,扫描栅上电压,找到最大跨导(栅电压的变化对应漏源电流的变化)点。沿最大跨导点做一漏电流曲线的切线,切线与栅电压的交点为Vintercept, Vth=Vintercept-1/2 Vd。如下图所示:
Ids
Vg
原创力文档


文档评论(0)