LED芯片的基本介绍.ppt

LED芯片的基本介绍;目录;一、LED名词解释;什么是LED芯片; 当电流作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。 ;光通量 (单位 流明 Lm。光通量（luminous flux）,指人眼所能感觉到的辐射功率，它等于单位时间内某一波段的辐射能量和该波段的相对视见率的乘积。由于人眼对不同波长光的相对视见率不同，所以不同波长光的辐射功率相等时，其光通量并不相等。 ;光强;照度;色温;光效;波长;正向工作电压VF： 参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。 正向工作电流If： 它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。;GaN: 氮化镓，属第三代半导体材料。禁带宽度在T=300K时为3.2-3.3eV，晶格常数为0.452nm。 MOCVD：是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文缩写，是在LED外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 蓝宝石：是刚玉宝石中除红色的红宝石之外，其他颜色刚玉宝石的通称，主要成分是氧化铝（Al2O3）。; InGaAlP：磷化铝镓铟，是四元系化合物半导体材料，是制造红色和黄色超高亮度发光二极管的最佳材料。 lGaInN：氮化物半导体材料，是制备白光LED的基石 OLED：即有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode），又称为有机电激光显示（Organic Electroluminesence Display, OELD），OLED屏幕具备许多LCD不可比拟的优势。;二、LED芯片生产工艺及流程; 衬底片制备 单晶生长、磨片、抛光;1、单晶片生长及衬底片加工; 元素半导体的代表为硅（Si）和锗（Ge）；也称为第一代半导体；化合物半导体被称为第二、三代半导体材料，代表材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）等。; 所谓“外延生长”就是在高真空条件下，采用分子束外延（MBE）、液相外延（LPE）、金属有机化学气相沉积（MOCVD)等方法，在晶体衬底上，按照???一特定晶面生长的单晶薄膜的制备过程 。 半导体外延生长主要采用MBE和MOCVD工艺。;RIBER R6000型MBE系统;AIXTRON 2600G3 HT型MOCVD系统; 在外延片的基础上采用光刻、刻蚀、蒸发、镀膜、电极制备、划片等半导体工艺制作具有一定功能的结构单元。主要采用光刻机、RIE、 PECVD 、离子注入、化学气相沉积、磨片抛光、镀膜机、划片机等半导体工艺设备。;做透明导电层; ICP （颅腔内容物，使颅内保持一定的压力，称位颅内压）;PECVD;研磨机;NEW WAVE 激光切割机;里德 劈裂机;分选机;4、基本工艺流程;从以上的的仪器设备可以看出，LED芯片的制造依靠大量的设备，而且有些设备价格昂贵。 LED芯片质量依赖于这些设备和操作这些设备的人员。 设备本身的制造也是LED生产的上游产业，一定程度上反映国家的光电子的发展水平。;总的来说，LED制作流程分为两大部分： 首先在衬底上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。; MOCVD是利用气相反应物（前驱物）及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。 然后是对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对LED毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够乾净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层（指蚀刻后的电极）会有脱落，金属层外观变色，金泡等异常。; 蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定芯片，因此会产生夹痕（在目检必须挑除）。黄光作业内容包括烘烤、上