大同半导体材料研发项目可行性研究报告模板范文.docx

泓域咨询/大同半导体材料研发项目可行性研究报告 报告说明 刻蚀设备用硅材料经下游客户加工制成刻蚀用硅部件，装配进入刻蚀设备腔体，最终应用于芯片制造刻蚀工艺。硅电极表面有密集微小通孔，在晶圆制造刻蚀环节，硅电极除了作为附加电压的电极，还作为刻蚀气体进入腔体的通路；硅环是支撑硅电极及其他相关零件的承载部件，保证等离子干式刻蚀机腔体的密封性和纯净度，同时对硅晶圆边缘进行保护。 根据谨慎财务估算，项目总投资2626.02万元，其中：建设投资1445.63万元，占项目总投资的55.05%；建设期利息38.09万元，占项目总投资的1.45%；流动资金1142.30万元，占项目总投资的43.50%。 项目