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EOS所旌舆失效分析 赖阈印 失效分析舆^端品^管理 全球裂造 摘要 FAE遇到元件失效h寺，若因然元件失效分析之能力，费失效元件送回瘢商分析，但元件瘢商的回 覆幸反告有桎大部分的失效原因舄EOS所要致，造成h寺冏和成本的浪囊。本文探言寸EOS之成因且 封元件之失效分析MU行的房如登及虚理流程，透^案例研言寸，期有效常助工程自而判新雷子元件失 效的原因是否舄EOS所造成，遥而找到根本原因(Root Cause)。避免因EOS造成之失效元件送瘢 商分析所走生的H寺冏和成本的浪囊。 前言 EOS 是Electrical Overstress的筒稠，其造成雷子元件失效之原理如同^.雷流流典■保除^走 生熟能保除^燎新舄相同的道理。在大多敷的失效案例中雷子元件内部雷路奥地(GND)或不同雷 位黑占之冏形成短路，走生遗需流而造成元件损壤舄大多敷雷子元件失效的主要因素。 此外有人畲封EOS舆ESD走生混淆，筒言之，ESD也是EOS的一椒，但因ESD封雷子元件的损 害，其盛重程度舆能量大小有片目。如果能量敷小，可能只要致雷子元件独微的损壤影譬其可靠度， 单未造成立即的功能不良，如果能量敷大，可要致雷子元件被擎穿或形成遗需流封元件形成永 久性损壤甚至燎毁，就是EOS。 如下圜，舄利用光孥^微金竟(圜A，B)及SEM(圜B，C)看到EOS的不良现象  (圜片来源：VOLTERRA Silicon Power Solutions -ESD/EOS Differences) 焉何要做EOS碗盎 根披雷子元件紫界常髭的失效原因分析中，EOS 1 占了々勺47 %，如圜一所示。由此可知EOS封裂 造紫走生品^成本的影譬相誉盛重是所有雷子元件失效原因之首。 函峻流程及方法 舄因厩EOS的冏恐 本箪位与蚤展出一套系统化的分析^言登及虚理流程能^失效分析工程自而在第一 h寺冏澄清失效之雷子元件是否EOS所造成 及h寺正碓判新不必费有EOS冏题的雷子元件送瘢商分 析而?^失 寻找冏题根 本原因及解方夬冏题 之黄金h寺冏。 EOS瞰重流程： Component NG 虹 .J L J Curve Tracer in FA Report to Vendor Find the Root Cause/ Component Process NG (Vendor) Go “Vendor FA” Special ATE/ Oscilloscope Verification Flying Probe Verification j Baking highlight the result 峻壶方法: 1.可使用Curve Tracer 曲籍追蹴冠（如圆2） 来量浏元件之DC 特性,如果#至由Curve Tracer ^ 查言亥元件之特性不符合原先的元件之规格，刖可初步判新可能舄EOS。 2.利用 Special ATE /Flying Probe 来做税 a.可依照元件规格裂作ATE测言式治具（圜3）及测言式程式（测言式内容包含Open, Short, IC Diode VCC , Boundary Scan or XOR Tree 之量测）如同使用Curve Tracer判新是否舄EOS之相同原 理，取得言亥元件之DC特性参敷藉以遥彳亍判新是否舄EOS。 b. Flying Probe （圜 4） 可依照元件规格裂作Flying Probe测言式灾遮治具，另取一片好的元件誉椽品裂作Flying Probe 测言式程式，（测言式内容包含Open, Short, IC Diode封VCC 量测）如同使用Curve Tracer判 新是否舄EOS之相同原理，取得言亥元件之DC 特性参敷藉以遥彳亍判新是否舄EOS。 3.考虑前各庶之毂偷业兼Curve Tracer or Special ATE /Flying Probe畤，可以利用示波器 来量测元件之保畿二槌勉特性曲糠，此方法如同Curve Tracer判新是否舄EOS之相同原理，取 得言亥元件之DC特性参敷藉以遥彳亍判新是否舄EOS 接^示意圜如下所示 利用言4虢走生器翰出正弦波，此H寺依披雷子元件之规格找到需要量部之保^二桎髓彳爱，依JW费示 波器的Ch1誉做X卓由（二桎髓的偏摩），Ch2誉作Y卓由（二桎髓的雷流），按照是意圜之4^M接 好彳爱即可^始裕I整言4虢走生器的DC offset，刖可费二桎髓曲^呈琨在示波器上。如果示波器上 昴页示的二桎髓曲M^^M或撤楚^日寺，刖可能此二桎髓已经形成^路或短路言亥元件之特性已不符 合原先的元件之规格，刖可初步判新可能舄EOS。 上述方法封雷子元件敷不易损壤也敷军碓，但联於殴借缺乏h寺或遇到非常累急的事件畤，也可利 用雷镀做初步房如登勤作，但殖注意雷镀畲有敷不穗的雷摩或走生瞬冏雷至