薄膜厚度对射频磁控溅射β-Ga2O3薄膜光电性能的影响.docx

1.?? 引　言 氧化镓具有较宽的禁带宽度(4.9 eV), 较高的临界电场强度(8 MV/cm)和突出的热稳定性、化学稳定性[1], 在日盲紫外光电探测器、各种传感器以及高功率电子器件等领域具有广阔的应用前景. 1952年人们就已发现氧化镓的5种结晶形态, 分别是α,?β,?γ,?δ,?ε, 其中物化性质最为稳定的是β-Ga2O3, 其次是ε-Ga2O3,?α-Ga2O3[2,3].?β-Ga2O3薄膜在可见光区域(波长400—800 nm)具有较高的光学透过率[4](大于80％), 在深紫外区域(波长200—300 nm)具有优异的光吸收特性, 因此广泛用于制备深紫外区域工作的光电器件[5