钡钨阴极优化与热电子发射性能.docx

1.?? 引　言 钡钨阴极作为电子源已广泛应用于真空电子器件(VED), 但随着VED向高频率、高功率方向发展, 对其发射特性, 尤其是电流密度和发射均匀性提出了更高的要求. 钡钨阴极由钨多孔体和孔内铝酸盐组成, 通过钨与铝酸盐发生热化学反应产生Ba原子, Ba原子沿着孔通道扩散至阴极表面后形成Ba覆盖层, 来降低功函数[1]. 影响钡钨阴极发射特性的主要是基体的孔结构和铝酸盐的物相组成及成份.? 在基体方面, 影响孔结构的重要因素是制备工艺和钨粉特性(颗粒形貌及粒径分布). 传统工艺由于钨粉粒径分布宽, 再经过长时间的高温烧结, 导致基体孔径分布宽、钨晶粒粗大且开孔率低[2]. 尽管采用注射