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CMOS运算放大器设计 一、 设计要求： 电源电压VDD=3.3V 以PMOS为输入管 负载电容Cout=1pF 低频增益：Av=70dB 增益带宽积：GBW=10MHz 相位裕度：PM=60° 输出斜率：SR=10V/us 建立时间：1us 最小沟长：Lmin=0.5um 已知参数： Kn=89.9uA/V2 Kp=-31.9uA/V2 Vthn=0.55V Vthp=-0.73V 二、 放大电路设计 为了满足增益要求我们设计了两级放大结构，电路图如下图 一所示。第一级使用差分放大器，由M1?M4组成；第二级由M6? M7组成，其中M6为该级放大管子。M5、M7、M8构成电流镜，提 供电流。 叩I. L-U-ti 广 图二、放大电路 电路仿真网表如下图一所示。 图一、网表 (W/L)1=(W/L)2=77,(W/L)3=(W/L)4=3.5,(W/L)5=30,(W/L)6=14, (W/L)7=59,(W/L)8=15,为了避免短沟效应，取所有晶体管的沟长 为L=1um。取电流源电流为I8=10uA，则根据电流镜原理得流过 M5的电流I5=20uA，流过M7的电流为I7=40uA。从而可得 I1=l2=l3=l4=1/2【5=15uA I6=【7=40uA 第一级放大倍数为Av1=gm1(ro2l|ro4) 第二级放大倍数为Av2=-gm6(ro6 II ro7) 总的放大倍数