SiC外延生长设备控制系统设计.pdfVIP

SiC 外延生长设备控制系统设计 摘 要 为实现对SiC 外延生长设备运行中水 电 气 温度 压力 运动等参数的全面实时稳定的 控制袁采用模块化设 方法袁设 了SiC 外延生长设备控制系统袁 绍了SiC 外延生长设备控制 系统总体架构 硬件组成与主要分控系统的设 遥 目前已成功应用于SiC 外延生长设备上袁经过 实际工艺验证袁控制系统架构完备 性能稳定遥 关键词 SiC 外延曰控制系统曰分控系统曰架构设计 Control System Design of SIC Epitaxial Growth Equipment Abstract: In order to realize the comprehensive ，real-time and stable control of water ，electricity ， gas ，temperature ，pressure ，motion and other parameters during the operation of SiC epitaxial growth equipment ，the SiC epitaxial growth equipment control system is designed by using the modular design method. The overall architecture design ，hardware composition and main sub control system design of SiC epitaxial growth equipment control system are introduced . At present ，it has been successfully applied to SiC epitaxial growth equipment . After the actual process verification ， the control system has complete architecture and stable performance. Key words: SiC epitaxy ；Control system ；Sub control system ；Architecture design 随着节能减排、智能电网和5G 通信等领域的 SiC 外延生长是SiC 功率 导体器件制造的关 ， ， 、降低器 快速发展 行业对功率 导体器件的性能指标提出 键工序 提高外延质量是保证器件成品率 了更高更严的要求[1] 。以SiC 为代表的第三代 导 件制造成本的关键所在，而设备控制系统的稳定性 体具有宽禁带、高电子速度和高击穿电场等特点[2] ， 及对关键因素的控制精度直接决定外延生长质量 [3] 与以Si 为代表的第一代 导体与以GaAs 为代表 的好坏 。本文研究设计了一套SiC 外延生长设备 ， 、智能 ， ， 、 的第二代 导体相比 更能适用于能源转换 控制系统 经实际工艺验证 该控制系统操作便捷 。 ， 电网和5G 通信等领域 功能全面、性能稳定 能很好地满足 SiC 外延生长 的需要。 ， 。晶 输室和