晶体硅太阳能电池刻蚀工序工艺详解.pptxVIP

会计学;目录;1、刻蚀的作用及方法; 刻蚀制作方法： 目前，晶体硅太阳电池一般采用干法和湿法两种刻蚀方法。;2.1干法刻蚀设备： 设备名称：MCP刻边机 设备特点： 1.采用不锈钢材质做反应腔，解决了石英体腔在使用过程中，频繁更换腔体带来的消耗。 2.电极内置，克服了射频泄露、产生臭氧的危害。 3.射频辐射低于国家职业辐射标准。 生产能力：一小时 1200PCS ;干法刻蚀中影响因素：;干法刻蚀生产流程：;KUTTLER设备外观及软件操作界面;槽体布局及工艺：; KUTLLER刻蚀设备特点： 先去PSG，后刻蚀。此种方法优点是避免了先刻蚀由于毛细作用，导致PECVD后出现白边。缺点是由于气相腐蚀的原因，在刻蚀后方阻会上升。;湿法刻蚀生产流程：;CF4：无色无臭毒性气体。不燃，若遇高热，容器内压增大，有开裂和爆炸的危险。吸入后可引起头痛、恶心呕吐、快速窒息等。;3、主要检测项目及标准;3、主要检测项目及标准;4、常见问题及解决方法;5、未来工艺的发展方向; Thanks ！;感谢您的观看。