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2021年全球及中国半导体薄膜沉积设备行业市场现状分析 一、半导体薄膜沉积设备分类 薄膜生长：采用物理或化学方法使物质附着于衬底材料表面的过程，常见生长物质包括金属、氧化物、氮化物等不同薄膜。根据工作原理不同，薄膜沉积生长设备可分为：物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和外延三大类。在半导体领域，薄膜主要分给绝缘薄膜、金属薄膜。大部分绝缘薄膜使用CVD，金属薄膜常用PVD（主要是溅射）。薄膜设备中，CVD使用越来越广泛。 薄膜设备分类 二、薄膜沉积设备相关政策法规 为推动半导体产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力，我国近年来推出了一系列鼓励和支持半导体产业发展的政策，为半导体产业的发展营造了良好的政策环境。主要的行业政策法规如下： 薄膜沉积设备相关政策法规 三、全球半导体薄膜沉积设备行业市场现状分析 薄膜沉积设备（包含CVD及其他沉积设备）在晶圆产线各类设备中的价值占比将稳定在20%以上，据统计，2020年全球半导体薄膜沉积设备市场规模达172亿美元，预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，复合年增速近18.6%。 2017-2025年全球半导体薄膜沉积设备市场规模走势 在硅片衬底上沉积薄膜有多种技术，按工艺主要分为化学工艺和物理工艺。化学工艺包括化学气相沉积（CVD）和电化学沉积（ECD)；其中CVD占据大部分薄膜沉积市场。物理工艺主要为物理气相沉积（PVD），其中溅射工艺制备的薄膜更加均匀、致密，对衬底附着性强，纯度更高，逐渐发展为主流，需求占比近19%。 2020年全球各类薄膜沉积设备市场结构（单位：%） 相关报告：华经产业研究院发布的《 》 四、中国半导体薄膜沉积设备行业市场现状分析 1、半导体设备销售额 从我国半导体设备销售额来看，2019-2021年，我国大陆地区半导体设备销售额由135亿美元增长至296亿美元，年均复合增长率达48.40%，高于全球增速。 2012-2021年我国半导体设备销售额及增速 2021年我国半导体设备销售额大幅增长58.23%，大陆地区连续两年成为全球第一大半导体设备市场，占全球半导体设备市场的28.86%。 2020-2021年全球半导体设备销售额地区分布 2020年国产半导体设备销售额约为213亿元，自给率约为16%。如仅考虑集成电路设备，国内自给率仅有5%左右，在全球市场仅占1-2%，技术含量最高的集成电路前道设备则自给率更低。半导体设备严重依赖进口不仅影响我国半导体产业的发展，更对我国信息产业安全造成重大隐患，进口替代空间巨大。 2013-2020年我国国产半导体设备销售额及增速 2、薄膜沉积设备需求现状 随着产线的逐渐升级，晶圆制造的复杂度和工序量都大大提升，在实现相同芯片制造产能的情况下，晶圆厂对薄膜沉积设备的需求量和性能也将相应增加。以中芯国际的不同制程逻辑芯片产线为例，从180nm8寸晶圆产线到90nm12寸晶圆产线，产线对CVD设备的需求量从月产能每万片9.9台增至42台，PVD设备的需求量从月产能每万片4.8台增至24台，需求量提升了4-5倍。 不同制程逻辑芯片产线薄膜沉积设备需求量 五、半导体薄膜沉积设备行业竞争格局分析 1、全球半导体薄膜沉积设备竞争格局 全球市场格局方面，以应用材料、泛林半导体、东京电子等国际巨头形成的垄断格局已经较为明显。2020年以上三家在全球沉积设备的市场份额分别达到43%、19%和11%。 2020年全球沉积设备竞争格局（单位：%） 2、全球半导体薄膜沉积设备细分市场格局 2020年全球管式CVD设备市场空间14亿美元，在各类薄膜设备中占比约10%，已逐渐被应用更广的等离子体和原子层沉积技术超过。日本半导体设备厂商东京电子和同业国际电气（已被应用材料收购）在全球管式CVD设备市场中分别占据46%和51%的份额。 2020年全球管式CVD竞争格局（单位：%） 相比于APCVD，LPCVD具有更低的成本、更高的产量和更好的膜性能。2020年全球非管式LPCVD设备市场空间达10亿美元，泛林半导体、东京电子和应用材料分别占据40%、36%和19%的市场份额。 2020年全球LPCVD竞争格局（单位：%） 等离子体辅助CVD,主要包括PECVD和HDPCVD，工作原理是在真空腔中施加射频功率使气体分子分解为等离子体。2020年全球等离子体CVD设备市场空间达47亿美元，远超其他类别的沉积设备。应用材料、泛林半导体的此类设备市占率分别为49%和34%，设备种类更全，在薄膜材料和淀积指标上处在领先地位。 2020年全球等离子体CVD竞争格局（单位：%） 原子层沉积(ALD)最大优点是薄膜厚度均匀性，在高深宽比(100:1)空隙和3D结构的顶部、侧面和底部可以获得相同的膜厚度，缺点是