一种带有阶梯型量子阱结构的发光二极管[实用新型专利].docxVIP

专利内容由知识产权出版社提供 专利名称：一种带有阶梯型量子阱结构的发光二极管 专利类型：实用新型专利 发明人：赵志斌,曲轶,谢琼涛,乔忠良,徐东昕,陈劲松,刘国军 申请号：CN202020964686.7 申请日公开号：CN212412073U 公开日摘要：本实用新型公开了一种带有阶梯型量子阱结构的发光二极管，包括：N型电极、P型电极、 衬底、以及依次层叠于衬底上的N型导电层、量子阱有源区、P型电子阻挡层和P型导电层；其中，N 型电极与N型导电层电连接；P型电极与P型导电层电连接；量子阱有源区包括依次层叠于所述N型导 电层上的量子阱层和AlGaN量子垒层；量子阱层为阶梯型量子阱，且其厚度为2nm。本实用新型通过 设置量子阱有源区，不会造成极强的极化电场，进而改善了由极化效应导致能带弯曲，并提高了电子 和空穴波函数重叠率，最终提高了二极管的辐射复合效率和发光效率。 申请人：海南师范大学 地址：571158 海南省海口市龙昆南路99号 国籍：CN 代理机构：北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人：曹鹏飞 更多信息请下载全文后查看