数电半导体存储器和可编程器件.pptxVIP

会计学 1 数电半导体存储器和可编程器件 2 几个基本概念： 地址：每个字的编号。 字数=2n （n为存储器外部地址线的线数） 概述 一、存储器 存放大量二值信息（或二值数据）的器件。是计算机及其它数字系统中不可或缺的重要组成部分，属于大规模集成电路。 字：表示一个信息的多位二进制码； 字长：字的位数； 字数：字的总量。 ※ 第1页/共55页 3 1)存储容量(M)：存储二值信息的总量。 ——字数 × 位数； 性能指标 例如：256 × 4bit = 1024 = 1k ——存储容量为1k 210K——1M； 210M——1G等。 ※ 2) 存取时间——存储器操作(R/W)的速度 第2页/共55页 4 二、存储器的分类： 1) 磁介质类 —— 软磁盘、硬盘、磁带 2) 光介质类 —— CD、DVD 3) 半导体介质类 —— 1、按材料分类 1)双极型: 2)MOS型:具有功耗低、集成度高的优点 2、按制造工艺分类 第3页/共55页 5 3、按存、取功能分类 1)只读存储器(Read-Only Memory ，简称ROM): ——正常工作时，内容只能读出，不能随时写入。 ※ 常用于存放系统程序、数据表、字符代码等不易变化的数据。 2)随机存取存储器（读写存储器） Random Access Memory ，简称RAM ——正常工作时可随时读出或写入，掉电后，数据全部丢失。 第4页/共55页 6 9.2 随机存取存储器RAM（P292）（读写存储器） RAM：在工作过程中，既可随时从存储器的任意单元读出信息，又可以随时把外界信息写入任意单元。 特点：使用灵活、方便。但具有易失性，即：掉电后，数据就消失(也有非易失性的RAM，实际上类似于ROM)。 ※ 第5页/共55页 7 SRAM（静态）：存取速度快 DRAM（动态）：结构简单、集成度高 NVRAM（非易失性） RAM按存储单元工作原理不同分为 RAM 按所用器件可分为 双极型 MOS型 分类： ※ 第6页/共55页 8 1、RAM存储器的基本结构 三类信号线：地址线、数据线和控制线 由存储矩阵、地址译码器、输入/输出控制电路组成。 ※ 第7页/共55页 9 存储单元是存储器的最基本存储细胞，能存放一位二值数据。由于存储器的容量巨大，一般都把存储单元排列成矩阵形式。采用双译码（行、列译码），用两条地址线来共同选择存储单元。 256根选择线 16根行选择线 16根列选择线 双译码方式 ※ 八位地址线 单译码方式 第8页/共55页 10 2、RAM的存储单元 六管NMOS存储单元 T1与T3、 T2与T4各构成一个NMOS反相器； 两个反相器交叉耦合，组成基本SR锁存器 T5、T6：本单元控制门，由行选择线Xi控制。 T7、T8：一列存储单元公用的控制门， 由列选择线Yj控制。 存储单元 ※ (1)静态RAM存储单元(SRAM) 第9页/共55页 11 显然，只有X,Y选择线都是高电平，内部输入、输出才和外部数据线连接，也就是该存储单元被选中。 当Xi=1时， T5、T6导通，存储单元与位线接通；当Xi=0时， T5、T6截止，存储单元与位线隔离。 当Yj=1时， T7、T8导通，位线与数据线接通； 当Yj=0时， T7、T8截止，位线与数据线隔离。 ※ 1 1 工作原理： 第10页/共55页 12 1、利用锁存器或触发器保存数据，所以数据是非破坏性读出，一次写入，可以反复读出，对存储的数据没有反作用。 3、静态存储单元功耗高，体积大，集成度低。 静态存储单元的特点： 2、进行读或写操作，由另外的输出/输入电路控制。 大容量存储器一般都采用动态存储单元 第11页/共55页 13 (2)动态存储单元(DRAM) 读出过程中：电容C上若充有足够电荷，其电压足够使T2导通，输出线（读位线）DO上就得到低电平0，否则得到1。 写入过程就是给电容充电和放电的过程。 存储原理依赖电容的电荷存储效应 D ※ 注意：每次从DRAM中读出数据时，因漏电流的原因，都会使电容C上的电荷减少，所以DRAM的读出过程是破坏性读出。 第12页/共55页 14 因此，每次读出后必须及时给电容再次充电，维护其内容。此外，C上电荷也不能长时间维持，所以还必须定时对电容充电，称为再生或刷新。 读取时：X,Y选中该单元，T1,T3，T4,T5都开通。DO上得到存储的数据; 1 D D 0 1 如果D=0； C应该充满电，刷新电平为1，给电容充电； 如果D=1；C应该不充电， 刷新