离子注入和快速退火工艺处理.docVIP

_ 离子注入和快速退火工艺 离子注入是一种将带电的且拥有能量的粒子注入衬底硅的过程。注入能量介 于1keV到1MeV之间，注入深度均匀可达10nm~10um，离子剂量变动范围从用于阈值电压调整的1012/cm3到形成绝缘层的1018/cm3。有对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能改正确地控制杂质混淆、可重复性和较低的工艺温度。 高能的离子因为与衬底中电子和原子核的碰撞而失掉能量，最后停在晶格内某一深度。均匀深度因为调整加速能量来控制。杂质剂量可由注入时监控离子电流来控制。主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或伤害。所以，后续的退化办理用来往除这些伤害。 离子分布 一个离子在停止前所经过的总距离，称为射程R。此距离在入射轴方向上的 _ 投影称为投隐射程Rp。投隐射程的统计涨落称为投影误差σp。沿着入射轴的垂 直的方向上亦有一统计涨落，称为横向误差σ┷。 以下图显示了离子分布，沿着入射轴所注入的杂质分布可以用一个高斯分布函 数来近似： S为单位面积的离子注入剂量，此式等同于恒定混淆总量扩散关系式。沿x 轴挪动了一个Rp。回忆公式: 对于扩散，最大浓度为x＝0；对于离子注入，位于Rp处。在（x－Rp）＝± σp处，离子浓度比其峰值降低了40%。在±2σp处则将为10%。在±3σp处为1%。 在±4σp处将为0.001%。沿着垂直于入射轴的方向上，其分布亦为高斯分布，可 用: 表示。