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模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2 ．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10 V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤 波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V。 3 ．差分放大电路，若两个输入信号uI1uI2 ，则输出电压，uO 0 ；若u I1 100V ，u I 2 80V则差模输入电压uId 20V ；共模输入电压uIc 90 V。 4 ．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号 频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5 ．若三级放大电路中Au 1Au230dB ，Au320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 4 10 倍。 6 ．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ 0 、静态时的电源功耗PDC 0 。这类功放 的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7 ．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2 ．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3 ．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R 为其输入电阻，R 为常数，为使下限频率f 降低，应（ D ）。 i S L A ． 减小C ，减小R B. 减小C ，增大R i i C. 增大C ，减小 R D. 增大C ，增大 R i i 5.如图所示复合管，已知V 的 = 30 ，V 的 = 50 ，则复合后的约为（ A ）。 1 1 2 2 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8 ．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9 ．稳压二极管稳压时，其工作在( C ) ，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：VCC 12V ，RS 10k，RB1 120k ， RB239k ， RC3.9k ，RE2.1k ，RL3.9k ，rbb’ ，电流放大系数50 ，电路中电 容容量足够大，要求： 1．求静态值IBQ ，ICQ和UCEQ(设UBEQ0.6V) 2 ．画出放大电路的微变等效电路； 3 ．求电压放大倍数A