电子能谱分析法.pptVIP

三、X射线光电子能谱分析与应用 1．元素(及其化学状态)定性分析 方法：以实测光电子谱图与标准谱图相对照，根据元素特征峰位置(及其化学位移)确定样品(固态样品表面)中存在哪些元素(及这些元素存在于何种化合物中)。 常用Perkin-Elmer公司的X射线光电子谱手册 定性分析原则上可以鉴定除氢、氦以外的所有元素。 分析时首先通过对样品(在整个光电子能量范围)进行全扫描，以确定样品中存在的元素；然后再对所选择的峰峰进行窄扫描，以确定化学状态。 第三十页，共四十五页，2022年，8月28日 图13-11 X射线光电子标准谱图示例 第三十一页，共四十五页，2022年，8月28日 应用实例 图13-12为已标识的(C3H7)4NS2PF2的X射线光电子谱图。 由图可知，除氢以外，其它元素的谱峰均清晰可见。图中氧峰可能是杂质峰，或说明该化合物已部分氧化。 图13-12 (C3H7)4NS2PF2的XPS谱图 第三十二页，共四十五页，2022年，8月28日 第一页，共四十五页，2022年，8月28日 什么是电子能谱分析法？ 电子能谱分析法是采用单色光源（如X射线、紫外光）或电子束去照射样品，使样品中电子受到激发而发射出来，然后测量这些电子的产额（强度）对其能量的分布，从中获得有关信息的一类分析方法。 本章主要介绍 俄歇电子能谱法(AES) X射线光电子能谱法(XPS) 紫外光电子能谱法(UPS) 第二页，共四十五页，2022年，8月28日 第一节 俄歇电子能谱法 俄歇电子能谱法是用具有一定能量的电子束(或X射线)激发样品俄歇效应，通过检测俄歇电子的能量和强度，从而获得有关材料表面化学成分和结构的信息的方法。 第三页，共四十五页，2022年，8月28日 一、基本原理 光谱分析中已描述了原子中的电子跃迁及其俄歇电子的发射过程。 俄歇电子的激发方式虽然有多种（如X射线、电子束等），但通常主要采用一次电子激发。 因为电子便于产生高束流，容易聚焦和偏转。俄歇电子的能量和入射电子的能量无关，只依赖于原子的能级结构和俄歇电子发射前它所处的能级位置。 第四页，共四十五页，2022年，8月28日 1．俄歇电子产额 俄歇电子产额或俄歇跃迁几率决定俄歇谱峰强度，直接关系到元素的定量分析。俄歇电子与特征X射线是两个互相关联和竞争的发射过程。对同一K层空穴，退激发过程中荧光X射线与俄歇电子的相对发射几率，即荧光产额(?K)和俄歇电子产额( )满足 =1－?K (13-1) 图13-1 俄歇电子产额与原子序数的关系 由图可知，对于K层空穴Z19，发射俄歇电子的几率在90％以上；随Z的增加，X射线荧光产额增加，而俄歇电子产额下降。 Z33时，俄歇发射占优势。 第五页，共四十五页，2022年，8月28日 俄歇分析的选择 通常 对于Z≤14的元素，采用KLL俄歇电子分析； 14Z42的元素，采用LMM俄歇电子较合适； Z42时，以采用MNN和MNO俄歇电子为佳。 第六页，共四十五页，2022年，8月28日 为什么说俄歇电子能谱分析是一种表面分析方法且空间分辨率高？ 大多数元素在50~1000eV能量范围内都有产额较高的俄歇电子，它们的有效激发体积（空间分辨率）取决于入射电子束的束斑直径和俄歇电子的发射深度。 能够保持特征能量（没有能量损失）而逸出表面的俄歇电子，发射深度仅限于表面以下大约2nm以内，约相当于表面几个原子层，且发射（逸出）深度与俄歇电子的能量以及样品材料有关。 在这样浅的表层内逸出俄歇电子时，入射电子束的侧向扩展几乎尚未开始，故其空间分辨率直接由入射电子束的直径决定。 第七页，共四十五页，2022年，8月28日 2．直接谱与微分谱 直接谱：俄歇电子强度[密度(电子数)]N(E)对其能量E的分布[N(E)－E]。 微分谱：由直接谱微分而来，是dN(E)/dE对E的分布[dN(E)/dE－E]。以负峰能量值作为俄歇电子能量，用以识别元素（定性分析），以峰-峰（正负峰高度差）代表俄歇峰强度，用于定量。 图2-11 俄歇电子能谱示例(银原子的俄歇能谱) 第八页，共四十五页，2022年，8月28日 3．化学位移与伴峰 原子“化学环境”变化，不仅可能引起俄歇峰的位移(称化学位移)，也可能引起其强度的变化，这两种变化的交叠，则将引起俄歇峰(图)形状的改变。 原子“