模拟,数字,电力电子复习题1(数控技术).docxVIP

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  • 2023-01-04 发布于江苏
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模拟,数字,电力电子复习题1(数控技术).docx

PAGE PAGE 1 复习题 模拟电子技术 ( )1.当 P 型半导体和 N 型半导体紧密接触时,在 P 型和 N 型半导体交界处会形成一个区域,下列的哪种名称不能描述该区域。 A.耗尽层 B.空间电荷区 C.突变层 ( )2.若场效应管的偏置电压 V =1V,则该管不可能是一个 。 GSQ A.P 沟道结型管 B.N 沟道结型管 C.N 沟道增强型MOS 管 ( )3.电路如右图所示,晶体管处于 。 A.饱和状态B.放大状态C.截止状态 ( )4.若用万用表测二极管的正、 反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为 。 A.正、反向电阻相等 B.正向电阻大,反向电阻

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