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模拟电子技术基础第三版第四章答案 【篇一：模拟电子技术基础 三版题目与答案】 自 测 题 在 n 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 p 型半导体。（ ） 因为 n 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） pn 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向 电压，才能保证其 rgs 大的特点。（ ） 若耗尽型 n 沟道 mos 管的 ugs 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 二、选择正确答案填入空内。 pn 结加正向电压时，空间电荷区将。 a.