2023-2025年刻蚀设备行业调研与市场分析报告.pdf

2023-2025年刻蚀设备行业调研与市场分析报告 汇报人 ：徐伟纶 时间 ：2022-12-21 目 录 1 . 行业发展概述 2 .行业环境分析 CONTENT 3 .行业现状分析 4 .行业格局及趋势 PART 01 行业发展概述 行业定义 刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除 （光刻胶）开口下 方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与 光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层 ，通 过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉 ，从 而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。湿法刻蚀 用液体化学剂去 定义 除衬底表面的材料。早期普遍使用 ，在3um以后由于线宽控制、刻蚀方向 性的局限，主要用干法刻蚀。目前 ，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和残 留物的清洗。干法刻蚀 常用等离子体刻蚀 ，也称等离子体刻蚀 ，即把衬底 暴露于气态中产生的等离子 ，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。 刻蚀主要参数 刻蚀速率、均匀性、选择比 （对不同材料的刻蚀速率比）、 刻蚀坡面 （各向异性、各向同性）。应用最广泛的刻蚀设备是ICP与CCP， 技术发展方向是原子层刻蚀 （ALE）。电容性等离子体刻蚀CCP 能量高、精 度低 ，主要用于介质材料刻蚀 （形成上层线路）——诸如逻辑芯片的栅侧 墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等 ，以及 3D闪存芯片工艺 （氮化硅/氧化硅）的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。 特点 电感性等离子体刻蚀ICP 能量低、精度高 ，主要用于硅刻蚀和金属刻蚀 （形 成底层器件）——硅浅槽隔离 （STI）、锗 （Ge）、多晶硅栅结构、金属栅 结构、应变硅 （Strained-Si）、金属导线、金属焊垫 （Pad）、镶嵌式刻蚀 金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。ALE 技术发展方向，能精确 刻蚀到原子层 （约0.4nm），具有超高刻蚀选择率。应用广泛。 产业链上游 刻蚀设备行业上游龙头企业已开始对产业链进行延伸 ，逐渐进军原材料生产领域 ，以 规避高额进 口原料的成本支出，攫取上游毛利。此外 ，伴随着上游原料生产企业的重 组进程加快以及中国市场参与者技术水平的提高 ，刻蚀设备行业上游原材料供应有望 朝着专业化和规模化的方向继续发展 ，逐渐抢夺外资企业在行业内的话语权。 产业链中游 刻蚀设备行业