2022-2023MOSFET(MOS管)行业市场分析与趋势分析报告.pdf

汇报人：张振群 汇报时间：2022-12-21 01 行业发展概述 02 行业环境分析 目录 03 行业规模及格局 CONTENTS 04 行业现状分析 05 行业未来发展 01 行业发展概述 行业定义 什么是MOSFET(MOS管) MOSFET ，又称MOS、MOS管 ，全称为 MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属-氧化物半导体场效应晶体 管 ，即以金属层 （M）的栅极隔着氧化层 （O）利用电场的效应来控制半导体 （S）的 场效应晶体管。根据工作载流子的极性不同，功率MOSFET可进一步分为N沟道型 （NMOS）与P沟道型 （PMOS），两者极性不同但工作原理类似 ，在实际电路中采 用导通电阻小、制造较容易的N沟道型MOSFET。MOSFET具有三个电极 ，分为源极 （Source）、漏极 （Drain）以及栅极 （Gate），通过控制栅极所加电压可控制源极 与漏极之间的导通与关闭。以N沟道MOSFET为例 ，当G、S极之间的电压为零时，D、 S之间不导通 ，相当于开路 ，而当G、S极之间的电压为正且超过一定界限时，D、S极 之间则可通过电流 ，因此功率MOSFET在电路中起到的作用近似于开关。 行业发展历程 自20世纪50年代末第一只MOSFET诞生以来 ，经过60年的技术更迭 ，MOSFET的产品性能趋于稳定。全球 MOSFET技术发展历程可分为以下四个阶段 萌芽期、成长期、快速发展期、稳步发展期 快速发展期 （1981-2013年） 成长期 （1970-1980年） 20世纪60年代后期 ，MOSFET开始采用多晶硅栅极电极。70年代初 ， 随着技术的进步 ，MOSFET的特征尺寸不断减小。为解决短通道效 多晶硅栅极在高温掺杂扩散时形成源-漏极区域的标志 ，从而让源极/ 应 ，业界提出了轻掺杂漏极结构。自6μm代MOSFET以来 ，电源电 漏极和栅极电极 自行对齐 ，使MOSFET尺寸不断缩小成为了可能。 压二十多年保持在5V，最终在0.5μm代技术产生时 ，电源电压下降 在此背景下 ，MOSFET开始被用于LSI