器件仿真与工艺综合设计实验指导书.pdfVIP

器件仿真与工艺综合设计实验指导书 实验一：二极管器件仿真 一、 实验目的 1、 掌握二极管基本结构原理，二极管电流电压特性； 2 、 掌握 Silvaco TCAD 器件仿真器仿真设计流程及器件仿真器 Atlas 语法规则； 3 、 分析二极管结构参数变化对主要电学特性的影响。 二、 实验原理 1. 二极管的结构及其原理 PN 结，是指一块半导体单晶，其中一部分是 P 型区，其余部分是 N 型区， 如图 1 所示。P 型区和 N 型区的交界面称为冶金结面（简称结面）。由 PN 结构 成的二极管是最基本的半导体器件。无论半导体分立器件还是半导体集成电路， 都是以 PN 结为基本单元构成的。例如 NPN （或PNP ）双极型晶体管的结构， 是在两层 N 型区（或P 型区）中夹一薄层P 型区（或N 型区），构成两个背靠背 （或面对面）的PN 结。 图 1 PN 结的结构图 PN 结导通并产生电流，根据其的形成原理，必须抵消掉空间电荷区内部的 电场阻力。我们通过P 区接外加电源的正极，N 区接负极的方法，给它加一个反 方向的更大的电场，这样就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动， 形成线性的正向电流。外加的反向电压导致内建电场的阻力更大，使得 PN 结仅 有极微弱的反向电流，不能导通。其是由于少数载流子的漂移运动形成，因少子 数量有限，电流饱和。这时反向电压增大至某一数值时，PN 结将因少子的数量 和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出 来，不断增大电流，最终被击穿 （变为导体）损坏，反向电流急剧增大。 2. 二极管的 I~V 特性 当对 PN 结外加电压时，会有电流流过。电流与外加电压的关系不遵从欧姆 定律。外加正向电压（P 区接正、N 区接负）时，如果电压达到正向导通电压 V 的数值，则会有明显的电流流过，而且当电压再稍增大时，电流就会猛增；外 f 加反向电压时，电流很小，而且当反向电压超过一定数值后，电流几乎不随外加 电压而变化，如图 2 所示。 图2 PN 结的伏安特性曲线 PN 结在外加正向电压时流过的电流很大，外加反向电压时流过的电流很小， 这说明它只能在一个方向上导电。PN 结的这种特性叫做单向导电性，或整流特 性。流过 PN 结的电流与外加电压的关系，叫做 PN 结的电压- 电流特性，或伏安 特性。图 2 即硅PN 结的伏安特性，它类似一个非线性电阻，在正、反电压下的 特征不对称。 3. 二极管击穿特性 在一般的反向电压下，PN 结的反向电流很小。但当反向电压增大到某一值 V 时，反向电流会突然变大，如图 3 所示。这种现象叫做 PN 结的反向击穿， B V 称为击穿电压。 B 图3 PN 结的击穿现象 4.Atlas 器件仿真流程 Atlas 器件仿真可以仿真具有一定物理结构、材料属性及掺杂浓度信息的半 导体器件在一定外界条件（如温度、偏压、电流等条件）下的电学、光学、热力 学特性（包括载流子分布、电场分布、电势分布、能带分布、电流密度分布、电 流与电压关系等）。Atlas 器件仿真流程如图 4 所示： 图4 Atlas 器件仿真流程图 三、 实验内容与步骤 1.设计目标参数： 尺寸:P 型衬底（1um×15um ）； 结构:P 区(1um ×10um ，5e17) 、N 区(1um ×5um,1e20) 。 2.根据设计目标画出器件结构图； 3.学习Atlas 器件仿真语法规则，并设计器件； (1) 仿真器调用命令语句 go 。 调用 atlas 器件仿真器需要用到 go 语句： go atlas (2) 设置网格 （mesh ），建立了一个含有网格信息的 1 微米×15 微米大小的区 域。 mesh x.m l=0.0 spac=1.0 x.m l=1.0 spac=1.0 y.m l=0 spac=1.0 y.m l=5.0 spac=0.005 y.m