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学生实验报告 院别 课程名称 器件仿真与工艺综合设计 班级 实验 （一） 二极管器件仿真 姓名 实验时间 学号 指导教师 成绩 批改时间 报 告 内 容 一、实验目的和任务 1、 掌握二极管基本结构原理，二极管电流电压特性； 2 、 掌握 Silvaco TCAD 器件仿真设计流程及器件仿真器 Atlas 语法规则； 3 、 分析二极管结构参数变化对主要电学特性的影响。 二、实验原理 1、二极管的结构与原理 2 、二极管的I~V 特性 3 、二极管击穿特性 4 、Atlas 器件仿真流程 三、实验设备 1、工作站或微机终端 1 台 2 、局域网 3 、Untitled-Deckbuild 仿真软件 1 套 四、实验内容 （一）、器件结构设计 设计一个长 15um、宽 1um 的PN 形二极管，其中 P 区长5um ，宽 1um ；N 区长 10um ，宽 1um 。 P N （二）程序设计 （1）用atlas 语句生成一维二极管结构： go atlas #调用 atlas 仿真器 mesh x.m l=0.0 spac=1.0 x.m l=1.0 spac=1.0 y.m l=0 spac=1.0 y.m l=5.0 spac=0.005 y.m l=15 spac=2 #定义 x y 方向网格信息 图一 定义网格 region num=1 silicon #定义区域 1，材料为硅 图二 定义材料为硅 electrode top name=cathode electrode bottom name=anode #定义电极及名称 图三 定义电极 doping uniform conc=5e17 p.type #定义p 区掺杂 图四 P 区掺杂 doping uniform n.type conc=1.e20 x.l=0. x.r=1 y.t=0.0 y.b=5.0 #定义 n 区掺杂 图五 N 区、P 区皆掺杂 save outf=diodeex02_0.str #存储结构信息 （2 ）为击穿仿真设置模型 models srh conmob bgn auger fldmob # 击穿仿真设置模型 impact crowell Crowell-Sze 冲击电离模型 （3 ）曲线追踪参数的设置 solve init #解初始化 solve vcathode=0.1 #设置要进行曲线追踪的电极 method newton trap maxtrap=10 climit=1e-4 #设置数值方法 （4 ）反向电压曲线追踪仿真 log outf=diodeex02.log #设置输出文件 solve vcathode=0.25 vstep=0.25 vfinal=10 name=cathode # 阴极电压从0.25V 加到 10V，步长0.25V tonyplot diodeex02.log tonyplot diodeex02_0.str # 绘图语句 （三）器件结构与杂质分布