吴丙申《模拟电路基础 》考研练习题库.pdfVIP

复习题库1 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （5）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （6）工作在放大区的某三极管，如果当I 从12μA增大到22μA时，I 从1mA变为2mA， B C 那么它的β约为 。 A.83 B.91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 图T1.3 UZ 6V IZmin 5mA T1.4 四、已知稳压管的稳压值 ＝ ，稳定电流的最小值 ＝ 。求图 UO1 UO2 所示电路中 和 各为多少伏。 图T1.4 五、某晶体管的输出特性曲线如图 T1.5所示，其集电极最大耗散功率 PCM＝ 200mW，试画出它的过损耗区。 图T1.5 T1.6 VCC 15V 100 UBE 0.7V 六、电路如图 所示， ＝ ，β＝ ， ＝ 。试问： （1）R ＝50kΩ时，u ＝？ b O （2）若T临界饱和，则R ≈？ b 基本放大电路 专题 一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。 （1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路， 其电压放大倍数应为10000。( ) （2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，( )它只能放大交流信号。( ) （3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( )它只能放大直流信号。( ) （4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) （6）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。( ) （7）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流 功率。( ) （8）当OCL 电路的最大输出功率为 1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于 1W。 ( ) 二、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路。根据要求选择合适电 路组成两级放大电路。 （1）要求输入电阻为1