半导体材料制备技术(一).pptxVIP

第三章 半导体材料制备技术 ;3.1 晶体生长技术;2、布里奇曼法的特点;．直拉法（Czochralski，简称CZ）;第5页，共28页。;3.1.3 区熔法（Floating zone, 简称FZ）;第7页，共28页。;3.1.4 升华法PVT;升华法立式生长坩埚示意图;II-VI族化合物晶体的生长方法: 升华法、布里奇曼法和高压液封直拉法 碳化硅 升华法基本上就是其大尺寸晶体生长的唯一有效方法 2、PVT法生长晶体的生长速率 对II-VI族化合物一般为0.5－1mm/h，对碳化硅则一般只有0.2mm/h左右;3.2 多晶硅制备;1、 工业硅制备 工业硅，一般是指95～99％纯度的硅，又称粗硅，或称结晶硅。原料：石英砂、焦炭 ;2、 四氯化硅制备;3、 三氯氢硅制备（西门子法）;4、 精馏提纯; 精馏;第17页，共28页。;第18页，共28页。;精馏是一种很有效的提纯手段，一次全过程，SiHCl3的纯度可从98%提纯到9个“9”到10个“9”，而且可连续生产，故精馏是SiHCl3提纯的主要方法。 ;5、四氯化硅或三氯氢硅的氢还原法制取多晶硅;7、多晶硅制备过程中的环保问题; 外媒报洛阳中硅污染 多晶硅产业再起喧嚣 来源：中国工业报 2008/5/2 3月9日，美国《华盛顿邮报》一篇题为《太阳能公司把垃圾留给中国》的文章迅速成为网络焦点。 “村民不敢相信所看到的