- 1、本文档共68页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
TSMC 工艺的_版图教程
目录
前端电路设计与仿真2
第一节双反相器的前端设计流程2
1、画双反相器的visio 原理图 2
2、编写、sp 文件 2
第二节后端电路设计4
一、开启linux 系统5
2、然后桌面右键重新打开Terminal 8
双反相器的后端设计流程9
一、schematic 电路图绘制 9
二、版图设计32
画版图一些技巧:48
三、后端验证与提取49
第三节后端仿真58
其它知识61
TSMC 工艺的_版图教程
前端电路设计与仿真
第一节双反相器的前端设计流程
1、画双反相器的visio 原理图
V V
DD DD
M0 M2
in fa out
M1 M3
图1、1
其中双反相器的输入为in 输出为out,fa 为内部节点。电源电压V =1、8V,MOS
DD
管用的就是TSMC 的1、8V 典型MOS 管(在Hspice 里面的名称为pch 与nch,在
Cadence 里面的名称为pmos2v 与nmos2v) 。
2、编写、sp 文件
新建dualinv、txt 文件然后将后缀名改为dualinv 、sp 文件
具体实例、sp 文件内容如下:
TSMC 工艺的_版图教程
、lib F:\Program Files\synopsys\rf018、l TT 就是TSMC 用于仿真的模型文件
位置与选择的具体工艺角*****这里选择TT 工艺角***********
划红线部分的数据请参考excel 文件《尺寸对应6 参数》,MOS 管的W 不同对
应的6 个尺寸就是不同的, 但就是这六个尺寸不随着 L 的变化而变化。
划紫色线条处的端口名称与顺序一定要一致
MOS 场效应晶体管描述语句:(与后端提取pex 输出的网表格式相同)
MMX D G S B MNAME L=val W= val AD= val AS= val PD= val
PS= val NRD= val NRS= val
2、1、在windowXP开始--程序这里打开Hspice程序
2、2、弹出以下画面然后进行仿真
存放.sp文件的地址
1、打开.sp
文件
2 、按下仿 3 、查看波
真按钮 形
查瞧波形按钮按下后弹出以下对话框
TSMC 工艺的_版图教程
单击此处
如果要查瞧内部节点的波形,双击Top 处
如果有多
单击这些
个子电路
节点即可
请单击此
查看波形
处的Top
查看
如果要查瞧测量语句的输
文档评论(0)