场效应管基本放大电路.pptxVIP

会计学1场效应管基本放大电路 ? N沟道增强型MOS场效应管结构漏极D→集电极C源极S→发射极E栅极G→基极B衬底B电极—金属绝缘层—氧化物基体—半导体因此称之为MOS管复习栅极G→基极B源极S→发射极E漏极D→集电极C第1页/共26页 各类绝缘栅场效应三极管（即MOS管）的特性曲线绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型复习1UT第2页/共26页 绝缘栅场效应管 N沟道耗尽型P 沟道耗尽型复习2UP第3页/共26页 结型场效应管 N沟道耗尽型P沟道耗尽型复习3UP第4页/共26页 一、MOS场效应管的特点场效应管与晶体管的相比，具有以下特点：1. 电压控制元件，电流iD受电压uGS的控制；2. 是单极型器件，温度特性好，抗辐射能力强；3. 输入电阻高，可达109~1014?；4. 面积、功耗小，便于集成。；5. 不同类型的FET对偏压的要求不同；6. 跨导gm较低；7. 存在背栅效应（即衬底调宽效应），衬底与沟道的PN结反偏。8. 工艺一致性较差，工作频率偏低、低频噪声较大等。第5页/共26页 二、场效应管的等效电路SDUgs+-+-UdsG1. MOSFET的直流模型（耗尽型MOS管，简称D管）IDID（增强型MOS管，简称E管）复习：UGS,th开启电压（增强型），UGS,off夹断电压（耗尽型、结型）第6页/共26页 SDgdsΔUGS+-+-ΔUDSGID2. 低频小信号模型由输出特性：ID=f (UGS,UDS)ΔIDgmΔUGSgm：跨导gds：输出电导gds=1/rds第7页/共26页 SDgdsugs+-+-udsGID低频跨导定义idgmugs（耗尽型、结型管）（增强型管）第8页/共26页 微变等效电路3. 高频小信号模型电路CgdSDgmUgsgdsUgs+-+-UdsGIDCgsCds第9页/共26页 三、 MOS管三种基本放大电路 场效应管偏置电路的关键是如何提供栅源控制电压UGS。自给偏置电路：适合结型场效应管和耗尽型MOS管外加偏置电路：适合增强型MOS管1.场效应管偏置电路第10页/共26页 (1) 自给偏置电路UGS = UG-US= -ISRS≈ -IDRSUGSQ和IDQUDSQ=ED-IDQ(RS+RD)RS的作用：1. 提供栅源所需的直流偏压。2. 提供直流负反馈，稳定静态工作点。RS越大，工作点越稳定。但会造成工作点偏低，放大增益减少，非线性失真增大。GSD基本自给偏置电路第11页/共26页 +UDD RSCSC2C1RDRG+T+_+_uiuoIS +_UGS例：已知UDD =20V、RD=3k?、 RS=1k?、 RG=500k?、UGS(off)= –4V、IDSS=8mA，确定静态工作点。解：用估算法UGS = – 1? IDUDS= UDD-ID(RD+RS)列出关系式解出 UGS1 = –2V、UGS2 = –8V、ID1=2mA、ID2=8mA 因UGS2 UGS(off) 故舍去 ，所求静态解为UGS = –2V, ID=2mA、=20 – 2（ 3 + 1 ）= 12 V第12页/共26页 偏置电路改进型自给偏置电路R1R2提供一个正偏栅压UG大电阻（M?)，减小R1、R2对放大电路输入电阻的影响。UGS = UG-US-IDRSUGSQ和IDQUDSQ=ED-IDQ(RS+RD)改进型自给偏置电路第13页/共26页 偏置电路(2) 外加偏置电路-IDRSR1和R2提供一个固定栅压。UGS = UG-US注：要求UGUS，才能提供一个正偏压，增强型管子才能 正常工作。第14页/共26页 2.三种基本放大电路(1) 共源放大电路直流分析UGS = UG-US-IDRSUGSQ和IDQUDSQ=ED-IDQ(RS+RD)第15页/共26页 一般rds较大可忽略基本放大电路(1) 共源放大电路(续）IdGRGR1R2RDRLDrdsRSgmUgsSUgsUiUo未接Cs时=- gmUgsRDUgs+ gmUgsRs=- gmRD1+ gmRsRD=RD//RL交流分析第16页/共26页 IdGRGR1R2RDRLDrdsRSgmUgsSUgsUiUo未接Cs时=- gmRD1+ gmRsriri=RG+(R1//R2)≈RG roro ≈ RD接入Cs时AU= -gm(rds//RD//RL)ri=RG+(R1//R2)≈RG ro =RD//rds≈ RD Rs的作用是提供一个直流栅源电压、引入直流负反馈来稳定工作点。但它同时对交流也起负反馈作用，使电路的放大倍数降低。 接入CS可以消除RS对交流的负反馈作用。(1) 共源放大电路(续）交流分析第17页/共26页 GSDriUi(2) 共漏放大电路（也称源极跟随器)RG