宽禁带半导体ZnO材料的调研.pptxVIP

会计学1宽禁带半导体ZnO材料的调研 半导体的发展20 世纪50 年代，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管，导致了以集成电路为核心的微电子工业的发展和整个IT 产业的飞跃，广泛应用于信息处理和自动控制等领域。20 世纪90年代，随着移动无限通信的飞速发展和以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起，第二代半导体材料开始兴起。由于其具有电子迁移率高、电子饱和漂移速度高等特点，适于制备高速和超高速半导体器件，目前基本占领手机制造器件市场。当前，电子器件的使用条件越来越恶劣，为了满足未来电子器件需求，新发展起来了第三代半导体材料——宽禁带半导体材料，该类材料具有热导率高、电子饱和速度高、击穿电压高、介电常数低等特点。第1页/共16页 半导体材料的基本特性电阻率能带原先在不同孤立原子中但具有相同能级的许多电子形成晶体时，由于量子效应，不能有两个电子处于相同的状态，它们的能量必定彼此错开，各自处在一个能量略有差异的一组子能级上，形成能带。禁带宽度根据电子的能量分布，在某些能量范围内是不许有电子存在的称之为禁带，半导体的禁带宽度是一个决定电学和光学性能的重要参数。第2页/共16页 半导体的应用元素半导体材料硅：半导体集成电路，半导体器件和硅太阳能电池的基础材料。锗：由于其特有性质，应用主要集中与制作各种二极管，三极管等。有机半导体材料有机半导体材料具有热激活电导率。有机半导体