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第三章场效应管会计学第1页/共46页 3. 1结型场效应管 1.结构和符号 1）结构 结型场效应管（JFET）结构示意图如图（a）所示。 第2页/共46页 图3.1 N沟道结型场效应管（a）结构示意图;（b）图形符号;（c）外形图第3页/共46页 图3.2P沟道结型场效应管 （a）结构示意图;（b）图形符号 ?第4页/共46页 2. 工作原理 现以N沟道结型场效应管为例讨论外加电场是如何来控制场效应管的电流的。 如图所示，场效应管工作时它的两个PN结始终要加反向电压。对于N沟道，各极间的外加电压变为UGS≤0，漏源之间加正向电压，即UDS＞0。 当G、S两极间电压UGS改变时，沟道两侧耗尽层的宽度也随着改变，由于沟道宽度的变化，导致沟道电阻值的改变，从而实现了利用电压UGS控制电流ID的目的。第5页/共46页图3.3 场效应管的工作原理第6页/共46页 1）UGS对导电沟道的影响 当UGS＝０时，场效应管两侧的PN结均处于零偏置，形成两个耗尽层,如图 3.4 （ａ）所示。此时耗尽层最薄，导电沟道最宽，沟道电阻最小。 当|UGS|值增大时，栅源之间反偏电压增大，PN结的耗尽层增宽，如图（b）所示。导致导电沟道变窄，沟道电阻增大。 当|UGS|值增大到使两侧耗尽层相遇时，导电沟道全部夹断，如图 （c）所示。沟道电阻趋于无穷大。对应的栅源电压UGS称为场效应管的夹断电压， 用UGS(off)来表示。第7页/共46页 图 UGS对导电沟道的影响（a）导电沟道最宽;（b）导电沟道变窄;（c）导电沟道夹断第8页/共46页 2）UDS对导电沟道的影响 设栅源电压UGS=0,当UDS=0时，ID=0，沟道均匀，如图（a）所示。 当UDS增加时，漏极电流ID从零开始增加，ID流过导电沟道时，沿着沟道产生电压降，使沟道各点电位不再相等，沟道不再均匀。靠近源极端的耗尽层最窄，沟道最宽;靠近漏极端的电位最高，且与栅极电位差最大，因而耗尽层最宽，沟道最窄。由图可知，UDS的主要作用是形成漏极电流ID。 第9页/共46页 3）UDS和UGS对沟道电阻和漏极电流的影响 设在漏源间加有电压UDS，当UGS变化时，沟道中的电流ID将随沟道电阻的变化而变化。 当UGS=0时，沟道电阻最小，电流ID最大。当|UGS|值增大时，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，电流ID减小，直至沟道被耗尽层夹断，ID=0。 当0UGSUGS(off)时，沟道电流ID在零和最大值之间变化。 改变栅源电压UGS的大小，能引起管内耗尽层宽度的变化，从而控制了漏极电流ID的大小。 场效应管和普通三极管一样，可以看作是受控的电流源，但它是一种电压控制的电流源。第10页/共46页 3. 结型场效应管的特性曲线 1）转移特性曲线 转移特性曲线是指在一定漏源电压UDS作用下，栅极电压UGS对漏极电流ID的控制关系曲线，即 图为特性曲线测试电路。图为转移特性曲线。从转移特性曲线可知，UGS对ID的控制作用如下：第11页/共46页 图3.5 场效应管特性测试电路 第12页/共46页 图3.6转移特性曲线 第13页/共46页 当UGS=0时，导电沟道最宽、沟道电阻最小。所以当UDS为某一定值时，漏极电流ID最大，称为饱和漏极电流,用IDSS表示。 当|UGS|值逐渐增大时，PN结上的反向电压也逐渐增大，耗尽层不断加宽，沟道电阻逐渐增大，漏极电流ID逐渐减小。 当UGS=UGS(off)时，沟道全部夹断，ID=0。第14页/共46页 2）输出特性曲线（或漏极特性曲线） 输出特性曲线是指在一定栅极电压UGS作用下，ID与UDS之间的关系曲线，即 图所示为结型场效应管的输出特性曲线，可分成以下几个工作区。第15页/共46页图 结型场效应管的输出特性曲线第16页/共46页 （1）可变电阻区。当UGS不变，UDS由零逐渐增加且较小时，ID随UDS的增加而线性上升，场效应管导电沟道畅通。漏源之间可视为一个线性电阻RDS，这个电阻在UDS较小时，主要由UGS决定，所以此时沟道电阻值近似不变。而对于不同的栅源电压UGS，则有不同的电阻值RDS，故称为可变电阻区。 （2）恒流区（或线性放大区）。图中间部分是恒流区，在此区域ID不随UDS的增加而增加，而是随着UGS的增大而增大，输出特性曲线近似平行于UDS轴，ID第17页/共46页 受UGS的控制，表现出场效应管电压控制电流的放大作用，场效应管组成的放大电路就工作在这个区域。 （3）夹断区。当UGSU GS(off)时，场效应管的导电沟道被耗尽层全部夹断，由于耗尽层电阻极大，因而漏极电流ID几乎为零。此区域类似于三极管输出特性曲线的截止区，在数字电路中常用做开断的开关。 （4）击穿区。当UDS增加到一定值时，漏极电流ID急剧上升，靠近漏极的PN结被击穿，管