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会计学;3. 1 场效应管;引 言;特点：;结型场效应管;2. 工作原理;2.UDS对ID的影响;3.UDS和UGS共同作用;3. 转移特性和输出特性;场效应管;一、增强型 N 沟道 MOSFET
(Mental Oxide Semi— FET);2. 工作原理;1)uGS 对导电沟道的影响 (uDS = 0);2) uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th));3. 转移特性曲线;4. 输出特性曲线;二、耗尽型 N 沟道 MOSFET;输出特性;三、P 沟道 MOSFET;N 沟道增强型;;场效应管的主要参数;;4. 低频跨导 gm ;PDM = uDS iD，受温度限制。;场效应管与晶体管的比较;3. 2 场效应管放大电路;场效应管放大电路;栅极电阻 RG 的作用：; UDSQ = VDD – IDQ(RS + RD) ;2.图解法;;;移特性可知，gm是转移特性在静态工作点Q处;rds为场效应管的共漏极输出电阻，为输出特性在Q点处的切线斜率的倒数，如图所示，通常rds在几十千欧到几百千欧之间。;从输入端口看入，相当于电阻 rgs(?)。;2. 场效应管放大电路
的微变等效电路;分压式自偏压放大电路; UDSQ = VDD – IDQ(RS + RD) ;四、改进电路;共漏放大电路;例 耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 M?，
RS = 2 k?，RD= 12 k? ，VDD = 20 V。
IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，求 iD 和 uO 。;;解方程得：IDQ1 = 0.69 mA，UGSQ = – 2.5V
(增根，舍去); UDSQ = VDD – IDQ(RS1+RS2 + RD) ;例
gm= 0.65 mA/V，ui = 20sin?t (mV)，求交流输出 uo。
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