场效应晶体管的补充I.pptxVIP

半导体器件原理南京大学Chapter 8. FET的补充分析：CMOS 器件设计与性能参数一、 CMOS 器件设计 1.1 MOSFET的等比例缩小（8.9） 1.2 阈值电压（8.2，S3.3, S3.5, S3.6） 1.3 有效沟道长度第一页，共七十一页。 半导体器件原理南京大学一、 CMOS 器件设计1.1 MOSFET的等比例缩小 （8.9）?光刻技术：短沟道导致密度速度和功率的改进?离子注入：浅或陡峭的掺杂界面或低掺杂浓度的实现第二页，共七十一页。 半导体器件原理南京大学（1）恒定场的等比例缩小 当减小横向尺寸时，等比例缩小器件的径向尺寸，并等比例减小外加电压，增加衬底的掺杂浓度，以使短沟道效应得到控制。恒场等比例缩小的基本原则： 将器件工作电压和器件尺寸包括(横向和纵向)缩小相同的比例，以保证电场保持不变。第三页，共七十一页。 半导体器件原理南京大学第四页，共七十一页。 半导体器件原理南京大学?泊松方程的不变：等比例增加掺杂浓度?最大耗尽层宽度：等比例缩小?所有电容：等比例缩小（正比于面积而反比于厚度）?反型层电荷：保持不变?速度饱和效应：保持不变（电场不变）恒场等比例缩小规则：第五页，共七十一页。 半导体器件原理南京大学?漂移电流： 等比例缩小（单位MOSFET宽度漂移电流不变）?单位MOSFET宽度扩散电流：等