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- 2023-02-07 发布于北京
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本实用新型公开了一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器，多像素超小电容X射线探测单元，包括n型硅基体，其顶面设有P+阴极，底面设有n+阳极；n型硅基体的顶面设有第一二氧化硅矩形框，第一二氧化硅矩形框内设有第二二氧化硅矩形框，两者间形成第一P+重掺杂离子注入区，第二二氧化硅矩形框内形成第二P+重掺杂离子注入区，第二二氧化硅矩形框上形成连通第一P+重掺杂离子注入区和第二P+重掺杂离子注入区形成P+阴极的缺口，缺口为第三P+重掺杂离子注入区，第二P+重掺杂离子注入区上镀设有阴极铝层。一种多像素超小电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212380427 U
(45)授权公告日 2021.01.19
(21)申请号 202021694270.4
(22)申请日 2020.08.14
(73)专利权人 湖
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