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一种双路共漏MOSFET芯片封装结构.pdfVIP

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  • 2023-02-10 发布于四川
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一种双路共漏MOSFET芯片封装结构.pdf

    本申请实施例公开了一种双路共漏MOSFET芯片封装结构，包括：正面设置至少两个源极和两个栅极的双路共漏MOSFET芯片本体，芯片本体上表面除去金属柱对应位置都设置有第一保护层，芯片本体左右侧面设置有第一保护层，设置有第一保护层的芯片本体设置在导电层上方，在导电层底面及左右侧面的第一保护层外围设置有第二保护层，本申请提供的实施例对MOSFET芯片本体进行塑封保护，可以防止晶圆裂片或损坏。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212434601 U (45)授权公告日 2021.01.29 (21)申请号 202021334387.1 (22)申请日 2020.07.08 (73)专利权人 上

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