电容结构及其形成方法和存储器.pdfVIP

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2023-02-10 发布于四川
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电容结构及其形成方法和存储器.pdf

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本申请公开了一种电容结构及其形成方法和存储器，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上堆叠形成电极支撑结构，所述电极支撑结构至少包括顶部的第一支撑层，在所述电极支撑结构内间隔形成电容孔，所述电容孔垂直于所述衬底表面的方向向上延伸；所述电容孔内形成电极柱以及由所述电极柱延伸至所述第一支撑层上表面的电极层；去除所述电极层；去除所述第一支撑层；在所述电极支撑结构的顶部形成介质层，所述介质层覆盖所述电极柱的顶部，且电极柱的顶部的外周壁与介质层连接。通过介质层覆盖电极柱的顶部，使得介质层与电极柱的外周壁之间无间

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115701274 A (43)申请公布日 2023.02.07 (21)申请号 202110807908.3 (22)申请日 2021.07.16 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230