场效应管的频率响应.pptxVIP

5.4 场效应管的频率响应第一页，共十三页。 5.4.1 场效应管的高频小信号模型场效应管的低频小信号模型:无电容。 场效应管的高频小信号模型：需要考虑电容Cgs和Cgd。 图5.16 FET高频小信号模型第二页，共十三页。 5.4.2 特征频率类似于BJT，场效应管的特征频率可表示为 ＝ （5.32） 第三页，共十三页。 5.4.3 Miller效应和Miller电容图5.17 含有负载 的MOSFET的高频小信号等效电路 第四页，共十三页。 在输入端的栅极节点列写KCL方程，有 在输出端的漏极节点列写KCL方程，有 上两式联立，消去 则 (5.34)(5.33)(5.35)Cgd等效到输入回路：第五页，共十三页。 一般地， 上式变为 根据上式重新将图5.17画成图5.18。图5.18 含等效Miller电容的MOSFET高频电路 (5.36)第六页，共十三页。 图中的电容 为Miller电容，可表示为 （5.37） 第七页，共十三页。 在一般情况下，条件 都会满足， 但在含有源负载的电路中就不一定能满足。若不满足， 一般 总是满足的，则式（5.34）变为 (5.38)Cgd等效到输出回路：第八页，共十三页。 则该输出端应并联一个电容 若式（5.38）是图5.18输出端的KCL方程，因此，包含电容 对输出回路的影响的等效电路如图5.19图5.19 电容 对输出回路影响的等效